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放射線の影響
mag6623の回答
まずフラッシュメモリについてですが、これはMOS-FETと呼ばれる構造になっています。 Mは金属(Metal)、Oは酸化物(Oxide)、Sは半導体(Semiconductor)の略で、FETは電界効果トランジスタというものです。イメージ的には、トランジスタの上にコンデンサが乗っかったようなものだと思ってください。 このメモリがDRAM、SRAMなどと違う点は電源がないときでもデータを記憶したままでいられることです。 どうしてそんなことができるのかというと、(この辺はちょっと記憶があやふやなのですが）酸化膜に高い電界をかけて電荷を注入すると、電荷が金属と酸化物の界面付近に蓄積されます。それによって金属と酸化膜、酸化膜と半導体の界面付近が特殊な電気状態となります。その状態をFETで読み取っているのですが、この電荷状態が電源に関係なく保持されるので、データを記憶したままでいられる、ということだったと思います。(多分） ところで、放射線には物質にあたると電子を飛び出させたりする性質があります。 放射線が酸化物にあたると、電子が飛び出すことで電荷が失われたり、また電荷がなかったところに電荷が現れたりします。そのため、データエラーを起こしやすくなってしまうのです。 これが、フラッシュメモリが放射線環境に弱い理由です。 肝心のメモリの動作原理の説明があやふやで申し訳ありません。
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