中空導体球と誘電体球の問題

このQ&Aのポイント
  • 中空導体球と誘電体球の相互関係についての問題について考えます。中空導体球の内側と外側の表面に発生する電荷密度を求める問題と、ある点における外向き電界強度の数式を求める問題について解説します。
  • 中空導体球を抵抗を介して接地した場合、経過時間に対する抵抗を流れる電流の式を導出します。抵抗を流れる電流の時間変化を表す指数関数の形を示し、その指数の関係や大地の電位との関係について考察します。
  • 中空導体球と誘電体球の相互関係については特に言及されていませんが、中空導体球と誘電体球を別々に考えることで問題を解くことができます。それぞれの問題に対して適切な導体と誘電体の特性を考慮し、解法を導き出すよう努めましょう。
回答を見る
  • ベストアンサー

電磁気学に関する問題です

半径r_1(rに下付きで1、以後下付きの文字や数字の前には_をつける)[m]、誘電率ε_1[F/m]の誘電体球と、内半径r_2[m]、外半径r_3[m]の中空導体球が、ともに座標原点を中心として置かれている。誘電体球は電化密度ρ[C/m^3]で一様に帯電しており、中空導体球は帯電していないものとする。自由空間の誘電率をε_0[F/m]として、以下の問いに答えよ。 (図が書けないので補足しておきます。r_1<r_2<r_3となっており、中空導体球の中に誘電体球があるようなイメージです。) 1.中空導体球の内側及び外側表面には電荷が発生する。それぞれの面電荷密度σ_i[C/m^2]およびσ_o[C/m^2]を求めよ。 2.原点からr[m]の点における外向き電界強度E(r)[V/m]を、0<r<r_1、r_1<r<r_2、r_2<r<r_3、r_3<rのそれぞれの場合について数式で表せ。 3.次に中空導体球を抵抗R[Ω]を介して接地した。このとき、接地した瞬間から測った時刻t[s]に対して、抵抗を流れる電流i(t)[A]が i(t)=i(0)exp(-αt) (t≧0) となることを導け。ただしαはある定数であり、大地の電位は常に0[V]である。 導体球と誘電体球を、どのように同時に考えたらいいのか分からず、 困っています。 中空導体球の中に導体球がある場合などについては、参考書で見かけたのですが…。 かなり図書館で色々な本を見てみたのですが、だいたいどの本も 誘電体と導体の話が別々に書いてあります。 中空導体球の中に誘電体球、このような場合どのように考えたらいいのでしょうか。 中空導体球と、誘電体球の相互関係はないのでしょうか。 ないのなら、中空導体球の問題1.は中空導体球だけで考え、2.は・・・ r_1<r<r_2のときは・・・ 混乱してきました。 どなたか、ヒントまたは助力、お願いします。。。

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • foobar
  • ベストアンサー率44% (1423/3185)
回答No.5

ガウスの法則では、球面の内側にある電荷だけ、を考えます。 r<r1のとき 半径r1の誘電体球が一様に帯電しています。 ガウスの法則を適用するときには、その中の半径rの球に含まれる電荷を計算する必要があります。(Eの計算に誘電体球の全電荷Q1を使うのではありません。) r1<r<r2のとき 半径rの球に含まれる電荷は、誘電体球の持っている電荷(Q1)だけ、です。 (Q2はr=r2の位置にあるので、この領域では含まれません。) r2<r<r3, r3<r の領域はそれでいいと思います。

xcdfnmtg
質問者

お礼

おかげさまでなんとか全問解けました!!! 複数回に渡る質問に、全て答えていただき、本当に、本当に、 ありがとうございました。 自分がどれだけ電磁気学が苦手かということが分かったので、 さらに勉強に励みたいと思います!!! 本当に、お世話になりました。 ありがとうございました!!!

xcdfnmtg
質問者

補足

なんとなく分かってきました。 r<r1のとき 半径r1の誘電体球が一様に帯電しており、ガウスの法則を適用するときには、その中の半径rの球に含まれる電荷を計算する。 半径rの球に含まれる電荷は(4/3)πrρ。 なので、この電荷を4πε1r^2で割る、ということですね。 だから、E(r)=(4πrρ/3)/(4πε1r^2)=(ρr)/(3ε1) 答え、E(r)=(ρr)/(3ε1) 次に、r1<r<r2のとき E(r)=Q1/(4πε0r^2) Q1=4πρr1^3/3 E(r)=(4πρr1^3/3)/(4πε0r^2)=(ρr1^3)/(3ε0r^2) 答え、E(r)=(ρr1^3)/(3ε0r^2) こういうことですね!? 結局、r1<r<r2のとき、r3<rのときは同じになるんですね。

その他の回答 (4)

  • foobar
  • ベストアンサー率44% (1423/3185)
回答No.4

2.に関して。 たとえば、中心に電荷Q0の点電荷がある場合、中心から距離rの点の電界Eは E=Q0/(4πεr^2) とrの関数(この場合は1/r^2に比例)になりますよね。 今回の問題でも、このように、rの関数で表されることになるかと思います。 #1補足欄で書かれた式は、#2補足欄で書かれているようにr1やr2などの特定の位置での電界になっているように思います。 (今回の問題のように、対称性が非常に高い(r=一定の球面上では電界の大きさが同じで電界の向きが球面に垂直)場合には、ガウスの法則を使って解くのが楽かと思います。)

xcdfnmtg
質問者

お礼

すみません、お礼もありますが、どちらかというと補足です。 「この回答への補足」で、間違えたことを書いてしまった気がしたので。 まず、0<r<r1で、ガウスの法則を用いると、 (ε_1)4πr^2E=Q_1 Q_1=4/3πr1^3ρなので、よって、E=r1^3ρ/(3ε1r^2) r1<r<r2では、ガウスの法則より、 E=(Q1+Q2)/(4πε0r^2) ここでQ1+Q2=0なので、E=0 r2<r<r3もE=0 r3<rはE=Q3/(4πε0r^2) で、Q3を書き換えて計算すると、 E=ρr1^3/(3ε0r^2) 自分なりにはかなり自信あるんですが、どうですか? もし間違っていたら、、、ちょっと自己嫌悪します。。。 ヨロシクお願いします。。。

xcdfnmtg
質問者

補足

ガウスの法則を使って解いてみました!! ほとんど同じ形になったのですが、答えは、E=ρr/(3ε_1)となりました。 補足欄#1#2で書いた式の、r_1ではなく、rになったバージョンです。 このような考え方ということですか?

  • foobar
  • ベストアンサー率44% (1423/3185)
回答No.3

若干補足 この問題を考えるときには、 誘電体球の全電荷をQ1(Q1=4/3πr1^3ρ)、金属球内面の全電荷をQ2,外面の全電荷をQ3とおいて、進めるのが楽かもしれません。(もちろん、最後の式では、Q1,Q2,Q3を使わずに、ρなどで表しなおす必要はあります。) たとえば、1.の問題は、Q1+Q2=0 (導体内の電界は0より),Q2+Q3=0(導体の全電荷は0)と表すことができて、これから、Q2,Q3が求まって、、という具合に進めることができます。 3.に関して、 導体球に抵抗Rを通して電荷がq流れ込んだときの導体球の電位Vを求めて、そのときの電荷の変化率dq/dt=iを求めれば、1階の微分方程式になって、問題が解けるように思います。

xcdfnmtg
質問者

補足

3.については、まだ2.が解けていないので考えていないのが現状です。 申し訳ございません。 Q1、Q2、Q3と置くやり方は非常に参考になり、分かりやすいものになりました。 ありがとうございました。 ただ、2.の問題、まだちょっと・・・ 下のNo.2で書いた質問に、もしよろしければ回答よろしくお願いします。

  • foobar
  • ベストアンサー率44% (1423/3185)
回答No.2

1,2はガウスの法則を適用して解くことになるかと思います。 1. は良さそうに思います。 2.に関して、 球体の電荷に対して、それぞれの領域でEがrに関わらず一定になっている、というのは変ではないでしょうか。(たとえば、r>r3でE=constというのは変ですよね?) また、2.の結果の式では設問で未知の変数とされているσi,σoは使わずに、既知の変数ρを使うべきかと思います。

xcdfnmtg
質問者

補足

No.2及びNo.3で教えていただいたこと、ありがとうございます。 返事遅くなりすみませんでした。 ただ、2.に関してまだ理解できていない部分が。 自分が求めたものというのは、たとえば0<r<r1で書いた答え、E=(ρr_1)/(3ε_1)、は、r=r_1の答えであり、0<r<r1の答えではないのか ということに気付きました。 ということは、上の式を=ではなく「>」とか「<」とかで表すのか なと思いました。 ・・・いや、まだなんかよく分かっていません。 とりあえず、Q1、Q2、Q3と置くというやり方は、ものすごく参考になり、分かりやすいものとなりました。 1.に関しては、理解しました。

  • foobar
  • ベストアンサー率44% (1423/3185)
回答No.1

1.導体球の部分(r_2<r<r_3)は等電位なので、この部分では電界強度は0 というのを使うと、導体球内面の電荷、および外面の電荷が算出できると思います。 2.電荷分布が決定できれば、各部の電界強度は計算できると思います。 電界が計算できれば、導体球の電位が計算できて、 3.でRに流れる電流(電荷の移動)、電荷の移動に伴う電位変化が計算できれば、 すべてが算出できることになるかと思います。

xcdfnmtg
質問者

補足

とりあえず、自分なりに解いてみました。 どうも電磁気学が苦手なので、あまり自信はないのですが、以下のwebサイトと持っている参考書をもとに解きました。 http://www.geocities.jp/shimizu2669/question4.html まず1.についてです。webサイトの、主に問題3.を参考にしました。今回の問題では、中空導体球には帯電していません。よって、wevサイトのQ=0としました。そして、webサイトの点電荷qに関しては、今回の問題では(4/3)π(r_1)^3×ρに対応するのではないかと考えました。すなわち、(4/3)π(r_1)^3×ρ+4π((r_2)^2)σ_i=0、σ_i=-((ρ(r_1)^3)/(3(r_2)^2)、そして、4π((r_2)^2)σ_i+4π((r_3)^2)σ_o=0、σ_o=(ρ(r_1)^3)/(3(r_3)^2)。 2.については、0<r<r_1でE=(ρr_1)/(3ε_1)、r_1<r<r_2でE=(σ_i)/(ε_0)、r_2<r<r_3でE=0、r_3<rでE=(σ_0)/(ε_0)となりました。 2.について質問です。符号は、やはり負も考えなければならないでしょか? また、間違えているところがありましたら、指摘をお願いします。 見難い式になっていて大変申し訳ないのですが、解答がなく、どうしても 解きたい問題なんで、、、 本当によろしくお願いします。 3.については、今から考えてみます。。。 とりあえず、2.までで。。。

関連するQ&A

  • 電磁気学に関してです

    某大学院試験の問題なのですが 解答がないため困っています 半径2.0cmの帯電した導体球が真空中にある。 導体球の表面は比誘電率が2.0の厚さ1.0cmの伝導体で覆われている。 導体球の中心から距離10cmの位置の電界強度は1.0*10^2V/mであった。 解答に当たっては単位も明記すること。また、真空の誘電率はε0[F/m]としてよい 1 導体表面の面電荷密度を求めよ 2 導体表面の単位面積あたりに働く力の大きさを求めよ 3 導体の電位を求めよ 4 誘電体の外表面の分極面電荷密度を求めよ 5 静電誘導を求めよ という問題です。 どなたか分かる方がございましたら 教えていただけませんか?? よろしくお願いいたします!!!

  • 電磁気学について

    電磁気の問題が分かりません どなたか教えていただけませんか? 半径2.0cmの帯電した導体球が真空中にある。 導体球の表面は比誘電率が2.0の厚さ1.0cmの伝導体で覆われている。 導体球の中心から距離10cmの位置の電界強度は1.0*10^2V/mであった。 解答に当たっては単位も明記すること。また、真空の誘電率はε0[F/m]としてよい 1 導体表面の面電荷密度を求めよ 2 導体表面の単位面積あたりに働く力の大きさを求めよ 3 導体の電位を求めよ 4 誘電体の外表面の分極面電荷密度を求めよ 5 静電誘導を求めよ という問題です。 1は E=δ/ε0 に代入して    δ=200ε0 2は F=(1/2ε0)*δ^2 に代入して2*10^4 3 以降が自信がないという状況です どなたか分かる方がございましたら 教えていただけませんか?? よろしくお願いいたします!!!

  • 電磁気の問題について

    電磁気の問題について質問させていただきます。 真空中に電荷Qっを帯電させた半径aの導体球がある。誘電率をε0としたとき以下の問いに答えよ。 (1) 導体休の中心から距離をrとしたとき、この導体球内の電場の大きさEin(r)と導体休外側の電場の 大きさEout(r)をそれぞれ求めよ。 (2) この導体球の電位φを求めよ。ただし、導体球表面の電位を基準とする。 (3) 電荷qの・電荷が導体休の外側にあるとき、この点電荷に働くクーロン力vec(F)を成分で表せ。ただし、点電荷の位置ベクトルをvec(x) = (x,y,z)tとする。 ※vec()はベクトル、()tは転置を表します。 (1)の答えは導体球なので Ein(r) = 0 、 Eout(r) = Q/(4*π*ε0*r^2) (3)の答えは vec(F) = q*Q/(4*π*ε0*(x^2+y^2+z^2)^(3/2))*(x,y,z)t で合っていますでしょうか? (2)については、「表面を電位の基準とする」というのは表面を接地するということなのでしょうか? また、導体球の電位とは何を意味しているのでしょうか? 教科書では、無限遠点を電位の基準として、そこから単位電荷ある点まで移動させたときにした仕事が電位(静電ポテンシャル)であると習ったので、導体の電位というのが何をさせているのかわからなくなってしまいました。 回答よろしくお願いいたします。

  • 電磁気の問題がわかりません

    導体球と誘電体の問題です。 よろしくおねがいします。 導体球A(半径a)と導体球核B(内半径b、外半径c)が同心で置かれ、 aとbの間にε1の誘電体が詰められ、 Bの外側cからから半径dまではε2の誘電体で覆われ、 dより外側は真空(ε0)である状態について。 (a<b<c<d) AにQ1の電荷、BにQ2の電荷を与えた場合の、 任意の半径位置r(0<r<∞)における電界のr方向成分と電位を求める問題です。 (基準点は無限遠点) 図があればわかりやすいと思うのですが準備する余裕がなく申し訳ありません。 導体球核の外側にまで誘電体がある…という問題に混乱してしまい、御恥ずかしながらご教示をお願いします。

  • 中空導体の問題で・・・

    中空導体の問題で・・・ 内半径および外半径がa,bである同心中空導体があり、最初導体は帯電していないとする。 中空導体球内部で中心から距離C(0<=c<a)の点Cに点電荷qを置くとする。 このとき中空導体の中空部の点の電位を求めよ。ただし中空導体球外および中空部の誘電率をεとする。 この問題で中空部にある電荷の振る舞いがいまいちわかりません。中空部の電界は一体どうなっているのか。わかる方お願いします。

  • 電磁気学が難しく授業についていけていません(~_~

    以下の問題が分かりません… 1.真空中に半径aの導体球があり、+Qに帯電されている。この導体球を囲うように、半径b(b>a)の薄い球殻が置かれている。球殻には均一に合計-Qの電荷を帯電させた。導体球と球殻の中心は一致している。以下の問いに答えよ。 1)球殻の中心を原点とするとき、げんてんからの位置ベクトルrの点での電界を求めよ。 2)空間に蓄えられる静電エネルギーUをもとめよ。 2.断面の半径がaで長さが無限大の円柱上の物体の内部を一様に電流Iが流れている。またこの円柱状物体と中心軸が一致した長さが無限大で半径がb(b>a)の薄い円菅に一様に電流Iが円柱状物体の電流と同じ向きに流れている。このときの磁界の大きさをアンペールの法則(積分形)を適用して求めよ。 長くなってしまい、すみませんm(_ _)m 1)はなんとかできたとはおもいますが、球殻と導体球が実際どのような電界が出ているのかがイメージできません(~_~;)

  • 電磁気学の問題です。

    中心を共通する半径a、半径bの球殻A、球殻Bがある(b>a)。AとBとの間には誘電率εの誘電体を挿入し、ほかは真空である。次の問に答えよ。ただし、誘電体は等方的で線形な物質であるとする。 (I)球の中心に点電荷qを置き、A、BにそれぞれQA、QBの電荷が一様に帯電しているとし、球殻の中心からの距離をrとして、電束密度D(r)、電場E(r)を求めよ。 (II)A、Bの電位VA、VBを無限遠方を基準として計算せよ。 (III)AB間の静電容量を求めよ。 このような問題です。 (I)はそれぞれの電場(q、A、B)を求めて足し合わせようと考えているのですが、電場の求め方が分かりません。 (II)は、E=-gradVから求めようと思っていますが、Eがわからないことにはどうしようもできません。 (III)はQ=CVに代入するんでしょうか? 以上です。よろしくお願いします。

  • 電磁気学の問題が分からなくて困っています。

    電験に向けて電磁気学を勉強しているのですが、いまいち解き方がわからない問題があるので教えてください。 1.真空中に置かれている半径aの導体球に電化Qを与えたとき、導体球内外の電界の大きさEと導体球内外の電位Vを求めよ。 2.面積S,間隔dの平行平板電極間に電位差Vを与えたとき、以下を求めよ。ただし極板間には比誘電率εの誘電体が挿入されているものとする。 (1)電極間の電界の強さE,(2)電極に蓄えられる電荷量Q,(3)静電容量C,極板間に蓄えられている静電エネルギー よろしくお願いします。

  • 中空導体球の問題です! 至急よろしくお願いします

    内半径a,外半径bの中空導体球がある。 共通の中心Oには、点電荷+qがあり、さらにこの中空導体球も帯電していて、総電荷として+Qの電荷をもってるとする。中心Oからの距離をrとして各領域での、電場の大きさをもとめなさい。 です。至急お願いします!!

  • 電磁気学に関する問題についての回答お願いします。

    電磁気学の問題になります 真空中に図のような半径a[m]の円柱導体とそれを取り囲む半径c[m]の円柱導体よりなる無限長同軸導体がある。円柱導体の周囲は中心より半径b[m]の範囲まで正の一様な電荷密度ρ[C/m^3]で満たされている。円筒導体は接地されており、厚さは考えなくて良い。中心軸からの距離をr[m]として、次の問いに答えよ。ただし、真空の誘電率をε0とする。 (1)中心軸を垂直に横切る断面において、r>b範囲での電気力線の様子を描け。 (2)中心軸を円筒座標系のz軸にとり、rにおける電界E(r)[V/m]を求めよ。 (3)電界の強さE(r)を縦軸、rを横軸にとり、電界のrに対する変化の様子をグラフに描け。 (4)中心から距離aおよび、bの点における電位Va[V]および、Vb[V]を求めよ。 (1)については、円柱の上面、底面には電界はなく、放射状に単位ベクトルer方向の電界が出来る感じでいいのでしょうか? (2)は、ガウスの法則の積分系と微分系の2つのやり方でやってみたのですが、2つとも考え方が正しいのかご指摘お願いします。細かいところまで指摘してほしいため、出来るだけ詳細に考え方を書きました。 ・積分系によるやり方 r<aの範囲について r<aの範囲には電荷分布がないので、E=0 a<r<bの範囲について 導体なので、内部には電荷はなく表面に電荷が分布して、E=0 ちなみに、電荷は外側の表面だけに集まるのでしょうか?この場合、円筒導体は接地されているので、静電気的な力で。もし接地されていなければ、外面と内面に半分ずつに電荷が分布するのでしょうか?どのような割合で分布するのでしょうか? b<r<cの範囲について ガウスの積分法則∫E・dA=(Q/ε0)を用いて、Aは円柱の表面積なので、2πrz。 Qは、ρが表面に集まるという考え方が正しいとすると、Q=(2πbz)ρ。 ただ、このやり方だと、b*zということで、次元は、[M^2]で、ρは、[C/M^3]の次元で、Q=[C/M]の次元となり、間違っているとも思うのですが。。。 よって、E(2πrz)=(1/ε0)(2πbzρ)より、E=(b*ρ)/(ε0*r) r>cの範囲について 円筒導体が接地されていることにより、円柱導体の周りの電荷と等量の負の符号の電荷が分布すると考えたので、円柱状のガウス面を考えてやると、相殺して、外側の電界は、E=0となりました。 ・微分系によるやり方 b<r<cの範囲について divD=ρという微分系のガウスの法則を用いる。φ方向や、z方向は電界は一定で、rだけに依存すると考えられるので、円柱座標のdivDの式をつかって、(1/r)d(rDr)/dr=0より、rDr=C(ただし、Cは、積分定数)。 r=bでは、導体と真空という誘電体の境界なので、Dr=ρとなって、b*ρ=C よって、rDr=b*ρとなり、Dr=(b*ρ)/rとなりました。 よって、E=(b*ρ)/(ε0*r) 勘違いしているところや、おかしな考え方をしているところはどこでしょうか?ご指摘と、なぜ間違っているか理由を教えてください。 (3)については、円柱と円筒の間では、1次関数的に電界の強さは、下がっていき、その他の場所ではE(r)=0というグラフでよろしいでしょうか? (4)は、E=-gradVから得られEを積分して求めればよいとは思うのですが、積分範囲をどうすればいいのかよく分かりません。 回答よろしくお願いいたします。