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Q749234の件で質問です。
Teleskopeの回答
- Teleskope
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昨日の小惑星見物でレスが遅くなりました ご免なさい、早速拝見しました。 ピーモス（2SJ…）でしたか。昔の555ワンショット回路は正パルスなので 反転した回路を紹介します。 しかし2,200μFは巨大です（2,200μFに12Vのエネルギ≒0.1ジュール）、CMOSに想定外の大きなCをつけて電源ON-OFFしてると壊れる心配があるので ちょっと保護を入れます。（CMOSの弱点なんですがラッチアップという現象です。） で、 ダイオードで 2,200μFから電源ラインに逃がしても、MOSがオンしてないと 行き場はICだけなんですね。このICの電源入力は数十kΩなので それ掛ける2,200μFの時定数は数百秒、お困りの状況がよくわかりました。 対策は； モスがオフの場合でも急速放電できることですね。と言っても 逃がしの抵抗を電源～グランドにつけると無駄電流の垂れ流しになるので、コンデンサをモスのあとに置いて 電球を放電に利用しましょう。 （ なお、実験で 電球の代わりにLEDと電流ダイオードで試す場合も、図のモスのあとの電球と同じ場所に付けてください。 なお、放電が定電流ダイオードで決まってしまうので数秒かかると思います。速いオンオフでは点灯しないと思いますので、スイッチカチカチ試験は電球でやってください。） 電源 ｜ ／ │ └──┬─┬─────┬─┐ 8 4 ｜ C2 ┏┷━┷┓ ｜ ┷ 7┨Dis ┃ ｜ ┌─6┨Ｔhresh┃ ｜ ｜ 5┨Ｃ.Ｖ ┃ S P-MOS ｜. ┃ .Ｑ┠3───G 2SJ533 ├─2┨Ｔｒig ┃ D┬───┐ ｜. ┗━┯━┛ ｜ ｜ ｜ ┷ １ C1 電球 └────── Ｒ３ ─┬─┤ ｜ ｜ ｜ ┷ Ｒ2 Ｒ1 ｜ ｜ △ ｜ ┷ ┷ ご使用のFETはPチャネルなのでソースは＋電源です。 C1 耐圧16V以上のもの。 上図で上がプラス側 R1 タイミング抵抗 △ 急速放電用ダイオード 上図で下から上に電流が通れる方向 R2 ダイオードの電流制限抵抗 値は 12V÷(ダイオードの許容最大電流の半分) R3 ラッチアップ防止抵抗 10kΩ以上 C2 電源パスコン 大きすぎると動作が鈍くなるので 1μF程度。耐圧は16V以上 C1 を現状よりもっと小さくするのがおすすめです。 C2の意味；この回路は 実用状態では電源ラインが常に切れて浮動（フロート）状態ですね。 走行中の静電気や雷の静電誘導に無防備なのでICを保護する目的です。 耐圧が高いセラミックでなく 16Vとか25Vの電解がおすすめです。 容量があまり大きいと電圧が残って「切ってすぐ点かない」現象が起きます。
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お礼
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