• 締切済み

半導体のドープについて

よくPtやMgを基板にドープすると言われますが、なぜなのでしょうか? または、ドープする理由が書かれている参考書を教えて頂けないでしょうか?

  • 化学
  • 回答数1
  • ありがとう数1

みんなの回答

  • shintaro-2
  • ベストアンサー率36% (2266/6244)
回答No.1

>よくPtやMgを基板にドープすると言われますが、なぜなのでしょうか? 頻繁にといわれても、どちらもSi系半導体では使いません。 化合物半導体の世界でしょうか? 何故って、そりゃ必要だから。 例えばマグネシウムなら 結局III-V族半導体を製造するのに、 族のずれたものを入れないとドーパンととして機能しないから。 別にほかの元素でも良いのですが、拡散係数、バンドギャップ、元素サイズ、ドーピングのしやすさ、コストとかの関係でそうなったということでしょう。 具体的に何を知りたいのですか?

関連するQ&A

  • ドープした半導体

    固体物理入門キッテルを学んでいるところなのですが…。 ドープした半導体 ”ドープ”ってどーゆーことですか?? お分かりの方いらっしゃいましたらどうぞ教えてくださいm(--)m

  • 半導体として動作する限界のドープ濃度

    半導体として動作する限界のドープ濃度はどれくらいでしょうか?

  • 半導体用シリコンのドープ材判別

    シリコン廃材(ルツボ残・インゴットのトップ&テイル)などに含有している ドープ材の種類を判別する方法を探しております。 ボロン、砒素、燐、アンチモンの種類を限定したいのですが、 簡単な測定では、難しいでしょうか。

  • ドープとは

    触媒に関することで「ドープ」とあったのですが、ドープとはどのような状態を言うのでしょうか?吸着とは違うのでしょうか? 例としてCにNをドープするとはCとNがなんらかの力によって結合することだと思うんですが、どのような力によるのでしょうか? お願いします。

  • モジュレーションドープについて

    以前、電子物性関係の講義で、モジュレーションドープの原理について述べられていました。しかしもともと化学の分野の人間であり、現在半分趣味で他学科の講義を受けているため、さっぱり分かりませんでした。 なにか良い参考書となるものがあれば教えてください。 さしあたって、モジュレーションドープについても説明いただけるとありがたいです。

  • 半導体へドープする不純物の濃度分布の制御について

    現在、Si表面に窒素を不純物としてドープしようとしています。 N2雰囲気で焼成し、熱拡散によってドープしようとしているのですが、 Si最表面と同程度のN濃度で、NをSi内部まで導入するにはどうすればいいでしょうか? (普通に焼成を行うと、Si内部に進むにつれ、N濃度が低下していく(添付図の(1))と思うのですが、 添付図(2)のようにSi内部まで表面濃度を維持する方法はないでしょうか?) 焼成時間を延ばせば、Nの固溶限界までNが固溶する領域がSi深くまで広がり、添付図(2)のように なるでしょうか。 それとも、時間を延ばしても、ただ濃度勾配が緩やかになり、Siのより深くまで、Nが侵入するだけなのでしょうか? 焼成時間を延ばす以外に方法がありましたら、是非お教えいただきたいです。

  • ドープ(dope)って?

     ある論文を読んでいたら「ドープ(dope)」という言葉が出てきました。 自分で少々調べた結果、どうやら電子関係の言葉のようで、半導体に不純物を混ぜるときに「ドープする」ようです。電子、半導体の事はくわしく分からないので詳しい方どうか「ドープ」について教えてください。 ちなみに論文には、  ・・・a thin thallium doped CsI scintillator on an amorphous silicon・・・ とありました。

  • エルビウムドープ光ファイバ

    「エルビウムドープ光ファイバ」について本やネットで調べてみても、「エルビウムドープ光ファイバ増幅器」についてばかり書かれています。 エルビウムドープ光ファイバ増幅器についてではなく、エルビウムドープ光ファイバについて説明してもらえないでしょうか?

  • 半導体の欠陥ドープによるHOMOとLUMOのシフト

    カーボンナノチューブに欠陥をドープ導入すると、その欠陥炭素周辺に電子が局在化します。この局在化により、HOMOは不安定化し、LUMOは安定化するとの記述があったのですが、LUMOが安定化する要因が分かりません。ここについてどなたか回答していただけないでしょうか? (電子が局在化するとエネルギーは増大するイメージがあります.)

  • 半導体について

    真性半導体に不純物をドープすると、ドナー準位やアクセプター準位が 形成されますよね?この準位にはエネルギー的なバンドの広がりはないんでしょうか?以前に、少し広がりを持っていると書いている本を読んだことがあるような気がします。どうなっているのか気になるので教えてください。また、広がりがないかどうかはどのような測定で観測することが出来るのでしょうか?よろしくお願いします。