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半導体の欠陥ドープによるHOMOとLUMOのシフト

カーボンナノチューブに欠陥をドープ導入すると、その欠陥炭素周辺に電子が局在化します。この局在化により、HOMOは不安定化し、LUMOは安定化するとの記述があったのですが、LUMOが安定化する要因が分かりません。ここについてどなたか回答していただけないでしょうか? (電子が局在化するとエネルギーは増大するイメージがあります.)

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • phosphole
  • ベストアンサー率55% (466/833)
回答No.1

これはあなたの勘違いです。 あなたの書いている説明は、HOMOの不安定化のほう、つまり電子ドナー（Nとか）をドープする場合の話です。 LUMOをあん低下するのはアクセプター（Bとか）なので、当然、電子は欠損します。あなたの（）の中に書いてあるのはそのとおりで、その前の記述で誤解されているので、結論が矛盾してしまっています。

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