- ベストアンサー
家庭用電源(100V)をMOSFETで制御
- みんなの回答 （1）
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
基本は間違っていません。 ゲート駆動回路が特性を決めますからは熟慮してください。 ドレインソース間はボディダイオードに頼らず、外にファストリカバリーダイオードをつけてあげてください。 遮断時のサージで壊れないよう、サージアブソーバも忘れずに。
関連するQ&A
- ソレノイドをいっぱい制御したい
現在GPIOにMOSFET(定電圧駆動(3.3V))をつなげてソレノイド(12V)を制御しています。複数のソレノイドを制御したくなったのですが、１つ１つ同じような回路を作るのがめんどいです。 複数のMOSFETがワンチップ化された商品はありますか? もしくは、pololu社のように複数のchを扱った商品はありますか？
- ベストアンサー
- 電子部品・基板部品
- MOSFETを使ったレベル変換について
MOSFETを使用して5V信号と3.3V信号のレベル変換をしようとしています。ゲート電圧は固定でソース－ドレイン間はONさせたままで使用する予定です。そこで質問ですが、N-ch MOSFETの場合、内部に等価的にソースからドレイン方向にダイオードが入っています。ソース側に5V、ドレイン側に3.3Vを繋いだ場合、このダイオードを通って電流が流れ、3.3V系の電位が上昇してしまうことはあるのでしょうか。その場合にはソース側の電位を低く（3.3V）してやれば問題なく使えるようになりますか？回路設計中で急いでます。専門書も探しているのですが、スイッチングなどについての記述はあっても、レベル・シフトについての記述が無く、困っています。宜しくお願いします。
- ベストアンサー
- その他(PCパーツ・周辺機器)
- mosfetの構造について
電子デバイスの初心者なので基本的な事かもしれませんがよろしくお願いします。 MOSFETについてですが、MOSFETは普通、ゲート、ソース、ドレイン、バルクの4端子があり、ゲートとバルク間に電位差をつけることでソース、ドレイン間のスイッチングができると理解しています。 私の場合バルクとソースを異なる電位で使用したいと考えており、4端子のMOSFETがほしいのですが通常市販されているMOSFETはどれもバルクとソースが短絡されてしまっているものばかりのように思われます。このような構造になっているのは何か理由があるのでしょうか？ MOSFETのスイッチング操作を行うためのゲート・バルクを通る回路とスイッチングで制御されるソース・ドレインの回路を独立した２つの回路のように使用したいのですがこのようなことは可能なのでしょうか？ よろしくお願いいたします。
- 締切済み
- 物理学
- MOSFETの選び方について
MOSFETの選び方について 今度NPNトランジスタを用いてスイッチ回路を作ることになりました。 条件は以下のようです Vin 0[v]のときoff Vin 5[v]のときon 使用するMOSFETは２ＳＪ６８０を使おうと思っています。 学校で計算式については習ったのですが、実際に作成すようと思うとどのように値を決定したらいいのかわからなくなってしまいました。 Id=VCC/R1=5/R1[A] ゲート電圧:Ｖｇ＝Ｖｉｎ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）[V] ここで疑問が Idはどのくらいの大きさにしたらよいのか？ R1,R2の大きさはどのくらいにしたらよいのか？ です。 よろしくお願いいたします。
- 締切済み
- 物理学
- MOSFETを使用したアナログスイッチ回路について
とにかくOn抵抗の小さい（1mΩ以下）アナログスイッチ回路が必要です。 市販のアナログスイッチでは満足できるものが見つかりませんでした。 PhotoMOSリレーもいろいろと調べてみましたが、良さそうなものを見つけることができませんでした。 いろいろと調べているとMOSFET2個でアナログスイッチ回路が構成できるというところまではたどり着いたのですが、そこから暗礁に乗り上げています。 MOSFETはOn抵抗が1.2mΩの IRF1324(www.irf.com)を使用しようと思っています。 nチャンネルMOSFETを使用したアナログスイッチ回路（0-5Vロジックで開閉）はどのような回路にすればよいかお教えいただけませんか。 よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- MOSFETの選定方法について
回路設計の素人なので、MOSFETの選定で困っています。 現在、MOSFETのNチャンネルを使用してSW回路を作ろうと考えており、ゲートには入力電圧(5Vor12V)、ドレインには電源電圧5Vにプルアップされたマイコンポート、ソースにはGNDを接続しています。 ゲート入力電圧は5Vと12Vのどちらも対応できるように設計したいと考えています。 FETの選定で注意すべき項目をご教示頂けますと幸いです。 説明がわかりにくい場合は、追記、修正を致しますので宜しくお願い致します。
- ベストアンサー
- 電気設計
- MOSFETの出力電圧制御方法
MOSFETのゲート電圧が出力電圧の10V高くかけないといけないと聞いたのですがそれは本当ですか？本当ならどうしてそうなるのか教えてほしいです。また、それが間違っていた場合正しい出力電圧の制御法を教えてほしいです。お願いします 使用しているFETはIRLB3813です 長々と失礼しました
- ベストアンサー
- 電気・電子工学
- 家庭用レコーダーの12v運用
某シャ○プのブルーレイレコーダーをもらったのですがDC12V運用したいと思っています。最初は車用のインバーターを使ってたのですが、案外電気食いで電圧降下のためインバーターがピーピーいいます。なのでDC12Vの直接稼働をさせたいのです。分解すると電源部はそんなに部品点数もなく見る人が見れば分かりそうな感じですが、自分は電気回路にあまり詳しくなく、どこに12Vを印加すれば良いのか分かりません。写真を添付しますので是非教えてください。よろしくお願いします。 ちなみに写真上部の中央やや右にある細長い部品でAC-DC変換をしてるみたいです(出力DC120V)。画面中央やや右にあるTK12A60W(MOSFET)でもソース・ドレイン間の電圧は120Vのままでした。 再度ですが、よろしくお願いします。
- 締切済み
- 電子部品・基板部品
- DCモータのONーOFFをパワーMOSFETで
現在エアコンプレッサー（AC100vのモーター）を使用しています。 タンクの圧力スイッチからリレーでモーターがONーOFFされています これをDC１２Vのモーターに変えようと思っています。定格電流が40Aで、ONーOFFはネットで調べるとパワーMOSFETを使用することは判ったのですが実際がよくわかりません。 ゲートには圧力スイッチからくる12vを抵抗で分圧していいのかと思っています。ただ、どんな規格の抵抗を使えばいいのか判りません。 回路図と実際に使用するパワーMOSFET、抵抗などの商品名を教えてください。 又、他によい方法があれば指摘いただければと思います。 よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 科学
- パワーMOSFETのゲートドライブ電流について
こんにちは 最近電子回路を始めたばかりの初心者です。 今回インバータ回路を作り、PWM制御で正弦波（100Hz）を作っていろんな回路に使用しようかと思いました。 作ろうと思う回路図は、このPDFファイルのp134の図1.6.2の50AクラスのものをパワーMOSFETに置き換えてHブリッジにしようかと考えています。 http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/catalog/ja/14362D1AG-08-2_catalog.pdf とてもきれいな正弦波を作りたいので、100Hzの半周期の5000[μs]を100点に分割したものが正弦波の最大値時のパルス幅（50[μs]）と考えて、正弦波の最大値時のパルス幅を50で割ったものを最小値時のパルス幅（1[μs]）にして正弦波を作ろうかと考えています。 そのためにスイッチングのターンオン時間などを短くしないといけないと思い、次のパワーMOSFET(TK10A50D)を使おうかと思ったんですが、http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Transistor/TK10A50D_ja_datasheet_100603.pdf ゲート電流が分からないので、いろんなところを探して回って見つけた式1/tr*Ciss*Vgを使ってゲート電流を計算すると、（tr＝25[ns]、Ciss＝1050[pF]、Vg＝+15-(-15)＝30[V]） Ig＝1.26[A]と出てきました。一瞬とはいえかなりの大電流が流れるのでとても驚きました。フォトカプラの二次側の電源として使おうと思っていたものはDC-DCコンバーター(出力0.05[A])なので、電流が全然足りません。 ゲート抵抗を増やせば、電流を減らせるということなのですが、ターンオン時間もあまり伸ばしたくないと思っていまして・・・ 悩んでもなかなか解決できないので、分かる方いらっしゃいましたらよろしくお願い致します。
- ベストアンサー
- 科学
お礼
助かりました。ありがとうございます。