- ベストアンサー
MOSFETの出力電圧制御方法
- みんなの回答 (3)
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
- ベストアンサー
MOS FETの使い方は聞くのはやめて読むのがいいでしょう。工業製品の情報の正規の出所は噂でも匿名掲示板でもなくメーカーです。 http://akizukidenshi.com/download/ds/ir/irlb3813pbf.pdf Absolute Maximum Ratings(絶対最大定格)に、出力電圧の設計を規定するVDSは30Vまであり得るのにVGSは±20Vしかかけてはならないと書いてあることがウソの証明になります。ゲートの電圧をソースに対して±20Vの範囲で使わなければなりません。出力電圧に対してではない。VDSはドレインとソース間の電圧。VGSはゲートとソース間の電圧。 FETを使うとは、Staticの表のRDS(on)をどうこうしたいのでしょう。ここに、VGS=10Vのとき平均1.6mΩ、VGS=4.5Vのとき平均2.0mΩと書いてあることが一般的な使用方法に関するメーカーのメッセージです。つまりソースを基準として(GNDとして、と一例として言ってもいいですが)、ゲートを+10Vにすれば実用的なONにできると読み取れます。4.5Vの例を示しているのは電池駆動の機器など10Vで駆動できない回路もあるからです。ソースに対してゲートを+10Vにしてon、+20V以上にすると壊れる。出力電圧に対して、ではありません。RDS(on)はon時のドレインとソース間の見かけの抵抗値。条件は表の右。 OFFの条件は、IDSSの項に、VGS=0Vのとき25℃のとき最大1μA、125℃でも100μA以下だと書いてあります。ゲートの電圧をソースに対してショート(0V)にしたときの漏れ電流。IDSSはゲートとソースをショート(VGS=0V)した時のドレンからソースに漏れる電流。条件は表の右。
その他の回答 (2)
【補足】 > 4.5Vの例を示しているのは電池駆動の機器など > 10Vで駆動できない回路もあるからです。 デジタル回路で駆動する時など、と書くほうがおそらく親切でした。
- lumiheart
- ベストアンサー率48% (1102/2295)
ゲート・ドライバの 実力と使い方 https://toragi.cqpub.co.jp/Portals/0/backnumber/2006/12/p234-235.pdf https://www.maximintegrated.com/jp/products/power/mosfet-drivers-controllers.html https://www.analog.com/jp/analog-dialogue/articles/isolated-gate-drivers-what-why-and-how.html https://www.njr.co.jp/products/semicon/motor_ic/gate_driver.php?cat=5250 まぁ用途とご予算次第! 趣味用、民生量産機、産業機器とで同じ回路で良いとは限らない
お礼
ご回答本当にありがとうございます。 たくさんの参考になるリンクを教えていただき大変感謝しています。 ぜひ参考にさせていただきます
関連するQ&A
- MOSFETの選定方法について
回路設計の素人なので、MOSFETの選定で困っています。 現在、MOSFETのNチャンネルを使用してSW回路を作ろうと考えており、ゲートには入力電圧(5Vor12V)、ドレインには電源電圧5Vにプルアップされたマイコンポート、ソースにはGNDを接続しています。 ゲート入力電圧は5Vと12Vのどちらも対応できるように設計したいと考えています。 FETの選定で注意すべき項目をご教示頂けますと幸いです。 説明がわかりにくい場合は、追記、修正を致しますので宜しくお願い致します。
- ベストアンサー
- 電気設計
- ハイサイドFETのゲートON電圧について
電源電圧24vのフルNch mosfetモータードライバにおいて、nchmosfetのゲートON電圧が10Vとした時、ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか? その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか?また、そのようなFETは存在するのでしょうか? もしくはハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか?
- 締切済み
- 電子部品・基板部品
- MOSFET使い方について
いつもお世話になります。電子部品初心者ですがよろしくお願いします。 機器(データロガー)から4~5Vが出力されていてALARM作動時は0~0.5Vが出力されます。機器から出力されている4~5Vを使ってリレーを動かしたいのですが、よいリレーがわからなかったためMOSFETを使って添付回路を作成しました。しかし想定通りに作動しません。MOSFETのゲートは配線していない(ゲートに電圧をかけていない)状態でドレインとソースを配線するとリレーが作動してしまいます。その状態でゲートを配線しても変化なしです。なぜゲートに電圧をかけていないのにドレイン-ソース間が通電していまうのでしょうか?アドバイスをよろしくお願い致します。
- ベストアンサー
- 電子部品・基板部品
- 電圧または電流に比例した電流制御
電源はDC24V、30Aのスイッチング電源です。 これの電流を、0Aから30Aまで、電圧または電流の制御信号に比例して流したいと考えています。 この場合、どんな素子が良いでしょうか? 私は、 バイポーラトランジスタ: ベース電流で制御できる MOSFET: ゲート電圧で制御。ただし、ゲート電圧に比例してドレイン電流が流れる範囲が小さい IGBT: ゲート電圧で制御。ゲート電圧に比例してドレイン電流が流れる と考えて、バイポーラトランジスタかIGBTがいいのではないかと考えたのですが、、 どうぞよろしくお願いします。
- 締切済み
- 物理学
- 電圧制御は電流制御よりすぐれてる?
通常のトランジスタは電流、FETは電圧を制御、増幅するものと聞きました。トランジスタを使ったほうが安価で簡単だけどFET(電圧制御)のほうがすぐれており(何にすぐれているかは不明)、またオーディオアンプに使用した場合真空管に近いあたたかい音色が出るとも聞きました。 電気に詳しくないもの(私もそう)からすれば電流で制御しようが電圧で制御しようが掛け算でにしたら電力は同じに思えます。電圧制御のメリットとは具体的に何なんでしょうか?
- ベストアンサー
- 物理学
- MOSFETのゲートソース間電圧をかける向きについて
ディプレッション型nチャネルMOSFETと エンハンス型nチャネルMOSFETで ゲートソース間にかける電圧の向きを 反対にする理由を教えてください。 特に、ディプレッション型nチャネルMOSFETについて、 ゲートソース間にかける電圧の向きを エンハンス型nチャネルMOSFETと逆にした場合、 ゲートソース間電圧を大きくするほど nチャネルは狭くなってドレイン電流量が 小さくなるような気がしてしまいます。 でも、特性図を見ると私の考えが 間違っているようです。 初歩的な質問ですいませんが よろしくお願いいたします。
- ベストアンサー
- 物理学
- MOSFETに1~10Vの方形波
ゲート閾値電圧が5VのMOSFETがあるとして、1~10Vの方形波をゲートに印加したらきちんとスイッチングはできるものなのでしょうか? 常に1V異常の電圧がかかっているので入力容量のコンデンサが放電することができずにできないのかな、と思ったんですが実際のところどうなるのか教えていただければ幸いです。
- ベストアンサー
- 物理学
- 家庭用電源(100V)をMOSFETで制御
AC100VをN-ch MOSFETで制御したいのですが、このような回路で大丈夫でしょうか? MOSFETはTK8A25DAを使用しようと考えています。
- ベストアンサー
- 電気・電子工学
- MOSFETの選び方について
MOSFETの選び方について 今度NPNトランジスタを用いてスイッチ回路を作ることになりました。 条件は以下のようです Vin 0[v]のときoff Vin 5[v]のときon 使用するMOSFETは2SJ680を使おうと思っています。 学校で計算式については習ったのですが、実際に作成すようと思うとどのように値を決定したらいいのかわからなくなってしまいました。 Id=VCC/R1=5/R1[A] ゲート電圧:Vg=Vin×R2/(R1+R2)[V] ここで疑問が Idはどのくらいの大きさにしたらよいのか? R1,R2の大きさはどのくらいにしたらよいのか? です。 よろしくお願いいたします。
- 締切済み
- 物理学
お礼
ご回答ありがとうございます。 とても丁寧に教えていただきわかりやすかったです。