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ハイサイドFETのゲートON電圧について

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お礼率 20% (1/5)

電源電圧24vのフルNch mosfetモータードライバにおいて、nchmosfetのゲートON電圧が10Vとした時、ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか?

その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか?また、そのようなFETは存在するのでしょうか?

もしくはハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか?

回答 (全4件)

  • 回答No.4

ベストアンサー率 60% (148/246)

製造業・ものづくり カテゴリマスター
>電源電圧に24Vを使用すると、ハイサイド側のゲートをONにするには34Vが必要になるわけですが、この場合、ゲート-ソース間耐圧が絶対最大定格が最低でも34Vの物を使用する必要がありますか?
ソース-ゲート間にかかる電圧は10Vなので、10Vに対して常識的なマージンを有する耐圧であれば問題ないと判断できます。
補足コメント
dic7

お礼率 20% (1/5)

ご回答ありがとうございます。

確認なのですが、
ゲート-ソース間にかかる電圧が10Vというのは、電源電圧が24vで、オン電圧が10Vなら、
ハイサイドFETのソースの電位が24vのため、ゲートに34Vを入力した場合、34-24=10で、ゲートソース間に10Vしかかからないということであっていますでしょうか。
投稿日時 - 2018-12-18 22:25:28
感謝経済
  • 回答No.3

ベストアンサー率 60% (148/246)

製造業・ものづくり カテゴリマスター
>電源電圧24vのフルNch mosfetモータードライバにおいて、nchmosfetのゲートON電圧が10Vとした時、ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか?
→ 24V電源のマイナス側を基準電位とすれば、その通りです。

>その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか?また、そのようなFETは存在するのでしょうか?
→ ゲート耐圧は、ソースーゲート間にかかる電圧に対して考慮するものであり、ご質問の場合はソースーゲート間にかかる電圧は10Vであって、この電圧を基準に常識的なマージンを考えれば十分です。
補足コメント
dic7

お礼率 20% (1/5)

ご回答ありがとうございます。
説明が足りていませんでした申し訳ございません。
長文になってしまい申し訳ありませんが、捕捉しますと。

現在、IR2302というゲートドライバを使用してフルブリッジモータードライバを作成しようとしています。最終的には電源電圧24Vのものを作成したいと考えています。
まず調査のためハーフブリッジを組み、電源電圧に7.2Vを使用して、ハイサイド、ローサイド両方のゲートへの出力を測定しますと、ローサイド側には7.2Vが、ハイサイド側にはブートストラップ回路があるため約14.4V出力されていました。

そこで、ON電圧が10VのMOSFETを使用したとして、電源電圧に24Vを使用すると、ハイサイド側のゲートをONにするには34Vが必要になるわけですが、この場合、ゲート-ソース間耐圧が絶対最大定格が最低でも34Vの物を使用する必要がありますか?
それともMOSFETのゲート-ソース間耐圧が30Vのものでも問題ないのでしょうか。

すでにご説明されていた場合、私の不勉強による不理解で申し訳ありませんが、よろしくお願いします。
投稿日時 - 2018-12-18 20:59:06
  • 回答No.2

ベストアンサー率 36% (64/175)

読み間違いしていたようなので訂正です
>その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか?
VGSSのことであれば、定格の10Vしか必要無いはずですよね?

>ハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか?
VGSSのことであれば、ソース電極の電位に依存しますね。
補足コメント
dic7

お礼率 20% (1/5)

ご回答ありがとうございます。
説明が足りていませんでした申し訳ございません。
長文になってしまい申し訳ありませんが、捕捉しますと。

現在、IR2302というゲートドライバを使用してフルブリッジモータードライバを作成しようとしています。最終的には電源電圧24Vのものを作成したいと考えています。
まず調査のためハーフブリッジを組み、電源電圧に7.2Vを使用して、ハイサイド、ローサイド両方のゲートへの出力を測定しますと、ローサイド側には7.2Vが、ハイサイド側にはブートストラップ回路があるため約14.4V出力されていました。

そこで、ON電圧が10VのMOSFETを使用したとして、電源電圧に24Vを使用すると、ハイサイド側のゲートをONにするには34Vが必要になるわけですが、この場合、ゲート-ソース間耐圧が絶対最大定格が最低でも34Vの物を使用する必要がありますか?
それともMOSFETのゲート-ソース間耐圧が30Vのものでも問題ないのでしょうか。

すでにご説明されていた場合、私の不勉強による不理解で申し訳ありませんが、よろしくお願いします。
投稿日時 - 2018-12-18 21:00:03
  • 回答No.1

ベストアンサー率 36% (64/175)

>ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか?
あっています。ONにはもっと低い電圧でなるだろうけど定格出すには必要。

>その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか?
はい。マージン持って2倍以上のもの使うのが普通です。

>そのようなFETは存在するのでしょうか?
なんぼでも存在します。
http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-08462/

>ハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか?
ゲート耐圧 > 電源電圧+ゲート駆動電圧 になります
ゲート駆動電圧なんて10V以下程度が多いから夢でもなんでもないですよ。
AIエージェント「あい」

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