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MOSFETのゲートソース間電圧をかける向きについて
ディプレッション型nチャネルMOSFETと エンハンス型nチャネルMOSFETで ゲートソース間にかける電圧の向きを 反対にする理由を教えてください。 特に、ディプレッション型ｎチャネルMOSFETについて、 ゲートソース間にかける電圧の向きを エンハンス型nチャネルMOSFETと逆にした場合、 ゲートソース間電圧を大きくするほど nチャネルは狭くなってドレイン電流量が 小さくなるような気がしてしまいます。 でも、特性図を見ると私の考えが 間違っているようです。 初歩的な質問ですいませんが よろしくお願いいたします。
- natsu1975
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蛇足かも知れませんが・・・ エンハンスメント型はノーマリイOFF（入力を与えない：Vgs=0でOFF） Vgsにしきい値(Vgsth)以上を与えるとD(ドレイン)-S(ソース)間が導通(ON)します。 スイッチング動作の場合はOFFさせたいときはVgs=0，ONさせたいときはVgsth以上の電圧を与えます。 アンプに使用する場合はVgsは0～Vgsthの間にバイアス電圧を設定します。 殆どのMOSFETはこのタイプです。 デプレッションタイプはノーマリィON(Vgs=0でON：D-S間導通) Vgsにしきい値を越えた電圧を与えてD-S)間が非導通(OFF)となります。 スイッチング動作の場合，ONさせたいときはG-S間を同電位とし，OFFさせたいときはゲート電位を大きくドレイン電位と反対方向に引きます。 アンプで使用する場合はVgsは0～Vgsthの間にバイアス電圧を設定します。 殆どのJFET(ジャンクションFET)はこのタイプで，かつてはしきい値電圧VgsthをVp(ピンチオフ電圧)と云っていました。（世代が知れるかも・・） 尚，一部のFET専門メーカーでは回路図記号でもエンハンスメント／デプレッション両タイプを識別出きるように又，ドレイン／ソースの識別できるようにシンボルを定めています。（興味が有れば自分で調べてください，JISでの表記はどうなっていたか覚えていません） 参考まで
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- rabbit_cat
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＞ディプレッション型ｎチャネルMOSFETについて、 ＞エンハンス型nチャネルMOSFETと逆にした場合、 ＞ゲートソース間電圧を大きくするほど ＞nチャネルは狭くなってドレイン電流量が ＞小さくなるような気がしてしまいます。 それで正しいです。 ディプレッション型でＶＧＳをマイナスにしていくと、どんどんドレイン電流が減っていきます。
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