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MOSFETのゲートソース間電圧をかける向きについて

ディプレッション型nチャネルMOSFETと エンハンス型nチャネルMOSFETで ゲートソース間にかける電圧の向きを 反対にする理由を教えてください。 特に、ディプレッション型nチャネルMOSFETについて、 ゲートソース間にかける電圧の向きを エンハンス型nチャネルMOSFETと逆にした場合、 ゲートソース間電圧を大きくするほど nチャネルは狭くなってドレイン電流量が 小さくなるような気がしてしまいます。 でも、特性図を見ると私の考えが 間違っているようです。 初歩的な質問ですいませんが よろしくお願いいたします。

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蛇足かも知れませんが・・・ エンハンスメント型はノーマリイOFF(入力を与えない:Vgs=0でOFF) Vgsにしきい値(Vgsth)以上を与えるとD(ドレイン)-S(ソース)間が導通(ON)します。 スイッチング動作の場合はOFFさせたいときはVgs=0,ONさせたいときはVgsth以上の電圧を与えます。 アンプに使用する場合はVgsは0~Vgsthの間にバイアス電圧を設定します。 殆どのMOSFETはこのタイプです。 デプレッションタイプはノーマリィON(Vgs=0でON:D-S間導通) Vgsにしきい値を越えた電圧を与えてD-S)間が非導通(OFF)となります。 スイッチング動作の場合,ONさせたいときはG-S間を同電位とし,OFFさせたいときはゲート電位を大きくドレイン電位と反対方向に引きます。 アンプで使用する場合はVgsは0~Vgsthの間にバイアス電圧を設定します。 殆どのJFET(ジャンクションFET)はこのタイプで,かつてはしきい値電圧VgsthをVp(ピンチオフ電圧)と云っていました。(世代が知れるかも・・) 尚,一部のFET専門メーカーでは回路図記号でもエンハンスメント/デプレッション両タイプを識別出きるように又,ドレイン/ソースの識別できるようにシンボルを定めています。(興味が有れば自分で調べてください,JISでの表記はどうなっていたか覚えていません) 参考まで

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>ディプレッション型nチャネルMOSFETについて、 >エンハンス型nチャネルMOSFETと逆にした場合、 >ゲートソース間電圧を大きくするほど >nチャネルは狭くなってドレイン電流量が >小さくなるような気がしてしまいます。 それで正しいです。 ディプレッション型でVGSをマイナスにしていくと、どんどんドレイン電流が減っていきます。

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