• 締切済み

mosfetの構造について

　電子デバイスの初心者なので基本的な事かもしれませんがよろしくお願いします。 　MOSFETについてですが、MOSFETは普通、ゲート、ソース、ドレイン、バルクの4端子があり、ゲートとバルク間に電位差をつけることでソース、ドレイン間のスイッチングができると理解しています。 　私の場合バルクとソースを異なる電位で使用したいと考えており、4端子のMOSFETがほしいのですが通常市販されているMOSFETはどれもバルクとソースが短絡されてしまっているものばかりのように思われます。このような構造になっているのは何か理由があるのでしょうか？ 　MOSFETのスイッチング操作を行うためのゲート・バルクを通る回路とスイッチングで制御されるソース・ドレインの回路を独立した２つの回路のように使用したいのですがこのようなことは可能なのでしょうか？ 　よろしくお願いいたします。

  • hrk26
  • お礼率40% (4/10)

みんなの回答

回答No.3

↓これで、よいんじゃない？ http://www.mew.co.jp/ac/download/control/relay/photomos/catalog/semi_jpn_he1.pdf#search='AQV252' カプリングしてるので、違う電源で使えますよ。

  • rabbit_cat
  • ベストアンサー率40% (829/2062)
回答No.2

＞ゲートとバルク間に電位差をつけることでソース、ドレイン間のスイッチングができると理解しています。 違います。 MOSFETはゲートとソース間に電圧でソース、ドレイン間の電流を制御（スイッチング）できる素子です。 バルク・ソース間の電圧を変えても、多少はソース・ドレイン間の電流を制御できますが（基板効果）、ゲート・ソース間の電圧による制御に繰れべて有効性がずっと小さいです。 仰るような４端子の素子があれば便利ですが、少なくとも単体の素子としてはありません。（等価的に作ったものはあります。SSR等）

hrk26
質問者

補足

ご回答ありがとうございます。返事が遅くなり大変申し訳ありません。 やはりSSR等のリレー回路をもちいなければならないのでしょうか？ 私はCMOSアナログスイッチのようなものを作りたいと考えているのですが、 CMOSアナログスイッチの製品の回路図を見るとソース・ドレイン間電圧を制御することでスイッチングが可能なバルク・ソース間が短絡されていない4端子型のMOSFETが使用されているように思います。 例：http://www.rohm.co.jp/products/databook/analogi/pdf/bu4066bc-j.pdf　13ページ左上 このような4端子型MOSFETは通常では手に入らないものなのでしょうか？なぜ通常市販されているMOSFETがどれもバルクとソースが短絡されてしまっているのか教えていただけないでしょうか。

回答No.1

フォトカプラでカプリングします。 ↓のようにFETドライブに特化した物もあります。 http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Opto/TLP250_ja_datasheet_071001.pdf

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