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MOSFETのD-S間の沿面距離とは？
- MOSFETのD-S間の沿面距離についてわかりません。
- D-S間のパターンの沿面距離が必要なのかどうか疑問です。
- 耐圧300V相当の沿面距離は必要ないのかどうか知りたいです。
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そんなに高くない(半導体レベル電圧)では、良く耳にして、プロセス確認をしておりました。 それが、参考になればと思い、きっかけのURLを提示します。 そうなんですか、それは失礼しました。 一昔前になりますが、それが嫌で、 http://www.takeda-foundation.jp/reports/pdf/prj0109.pdf#search='ASET+%E8%B6%85%E5%85%88%E7%AB%AF%E9%9B%BB%E5%AD%90%E6%8A%80%E8%A1%93%E9%96%8B%E7%99%BA' の 光実装部品標準化(ASET)プロジェクト となったのでは？ 一度、活動成果を確認してみて下さい。
＞要は、なぜ同じ電位差でも一方は一般的に問題されているのに ＞他方は？・・・と、質問文のとうりです。 それはデータシートを読める人には常識だからです。 もしドレインとゲートが短絡してしまっても ゲート＝ソース間電圧がVGSSを越えない範囲でMOSFETを使うこともできますし （動作が異常になるのはまた別問題として） それを超える電圧で使うならゲート＝ソース間電圧がVGSSを越えるので 耐電圧対策は当然必要というのをデータシートから読み取っているからです。 なかにはパッケージ上の端子にゲートが出てきていないフォトMOSFETなどもあり この場合ドレイン側の電圧と同じになる電圧300V±5Vなどでも動かすことができ 小電力の制御には便利です。 http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-06876/
お礼
回答ありがとうございます。 >それはデータシートを読める人には常識だからです。 常識的な２つのことについての取扱い（記述）が違いすぎる・・ ということです。 ここまでくると技術の問題ではなくなってしまい、質問したことを 反省しています。
適応する規格が分かりませんが そこには 「極性が異なる充電部相互間」とか 「電位が異なる充電部相互間」となっていませんか？ つまりD-S間とかD-G間と言うことは関係ないのでは 私は、質問を理解できていないようです。 基板上の絶縁距離の問題なら どちらも同じように考えるのが一般的だと思っていますし MOSFETの構造上の問題なら ゲートは他から絶縁されている程度しか思い当たりません。 > 要は、なぜ同じ電位差でも一方は一般的に問題されているのに ↑ 私にはここが理解できていない 手を出さなきゃ良かったと反省
お礼
回答ありがとうございます。 >適応する規格が分かりませんが 規格を引用して、その解釈を質問していません。 >つまりD-S間とかD-G間と言うことは関係ないのでは 関係ないと思っているから質問しています。 要は、なぜ同じ電位差でも一方は一般的に問題されているのに 他方は？・・・と、質問文のとうりです。 回答ありがとうございます。 >ゲートは他から絶縁されている程度しか思い当たりません。 実は、私もこの点が関係しているのかなと・・・と 思いましたが、納得いく理由が思いつかず質問いたしました。 >手を出さなきゃ良かったと反省 私も、質問自体が「言葉のあや」にとらわれやすく 変な質問をしてしまったと反省しています。
毎度ＪＯです。 >>+300V-R(負荷)-D(MOSFET)-S(MOSFET)-0V と有りますがこの「Ｒ］は実際何でしょうか？ 抵抗器としても、まったくＬ成分の無い物は稀です、 少しでもＬ成分が有れば、ＯＦＦ時に３００Ｖより上昇します Ｒにダイオードが並列接続されていれば、電圧上昇を抑える事は出来ます 「D-S間のパターンの沿面距離が必要」これは実装の問題でデバイスは耐圧300Vと記載すれば良い事に成ります ではFETのケースの沿面距離はと言うと、外形TO-220のFETでも600V以上の耐圧の物もありますね
お礼
回答ありがとうございます。 >「Ｒ］は実際何でしょうか？ 負荷の種類によりインダクスキック、共振、リンギング・・・で Dの電位は変化することはわかりますし、その抑制技法があることも わかります。 D-G間の電位を低減する手法を質問しているわけではありません。 質問の趣旨は、一般的にD-S間の沿面距離についての記述は よく目にしますが、D-G間については記述をみたことがないので 疑問に思い、質問のために単純化したモデルの一例として 挙げたにすぎません。 推測すれば沿面距離の規定には単に電位差だけで確定するものでは なく相互のインピーダンス等も考慮されたものであると考えなければ 理解できないような疑問をいだいています。
300Vが加わるパターン間について、沿面距離の不足をどう処理するか？ その製品に対して適用される安全規格があれば、一義的にはその規格に従って 沿面距離の不足が認められる緩和措置があるかで判断します。まずは、その 製品に適用される安全規格を明確にすることが必要です。 例えば、電気用品安全法では、整流器の2次側などで止むを得ない部分につ いては、短絡開放試験で安全性問題がないことを確認できれば、正規の沿面 距離が確保できていなくてもOKとできる緩和規定があります。 前記のような緩和規定の有無が明白あったとしても、製造業者は製品の安全 に対して製造物責任法に基づく一般的な責任があります。 沿面距離不足によって、消費者に重大な危害を与える恐れがあれば、一般的 な沿面距離に対する規定を満足していたとしても、事故が起きた際には責任 を追及される可能性があることをお含みおき下さい。 具体的な判断については、第三者認証機関の有料相談窓口にお問い合わせに なることが確実と思います。 MOSFETが、速い周期でスイッチングしていれば、OFF期間にD-S間に加わる 電圧が300Vとしても、ON-OFFの期間を通じて評価したD-S-間に加わる 実効電圧は300Vよりも低下します。 定常的にスイッチング動作する場合は、所要の沿面距離は、緩和規定に先立 ち、印加される実効値で評価することもできると思います。 ごめんなさい。 タイトルがD-S間の沿面距離でしたので、D-S間のことをお尋ねと早とちり しましたが、D-G間の沿面距離について回答を求めていらっしゃたのでしょ うか？ 一般的な駆動条件では、D-G間のわる電圧は10V以内と思いますので、 D-S間電圧が300V程度であれば、D-G間電圧は、D-S間電圧に等しいと扱って 大きな間違いはないと思います。従って、沿面距離もD-Sと同等に設計すれ ば、安全規格上は問題ないと考えます。 その一方、ゲート駆動回路のインピーダンスが高い場合は、安全規格上の 沿面距離が十分であっても、高電圧印加によるD-G間のリーク電流によって FETの動作に問題を起こす懸念を考慮すべき場合があるかもしれません。 上記のような懸念は、安全の問題ではないので、回路設計技術者の裁量の 範疇であって、一般的な注意義務として一般的なな基準等に記載されること はないと思います。 一般的なゲート駆動回路を採用した場合は、D-S間の沿面距離と、D-G間の 沿面距離とは、同等に設計することが適切と思います。 ゲート駆動回路のインピーダンスが高い場合は、漏れ電流による動作の安定 性を考慮して、D-G間の沿面距離を設計することが必要と思います。 単純に、沿面距離を大きくすることで漏れ電流を抑制することが困難な 場合は、D-G間にガードパターンを配置するなど、ゲート電位に影響を与え る漏れ電流を積極的に抑制する追加手段を考慮したほうがいいと思います。
お礼
回答ありがとうございます。
IEC-J60335-1規格だと 300Ｖだと沿面距離は4mm スリット幅なら3mm です。 表3-16 絶縁距離規定値 http://koukusu.com/japan/j_stand/iecj603351/j_stand_inter_const_c_2.html
お礼
回答ありがとうございます。
お礼
回答ありがとうございます。 >そんなに高くない(半導体レベル電圧)では 約300Vです。