MOSFET ハイ(ロー)サイドのノイズ

質問

下記のように２種類の接続をしてMOSFETをスイッチングします。

MOSFETはNチャンネルタイプで、Gate抵抗は
リンギングを発生しやすくするために小さくします。

(1)FETをローサイドへ
VCC - R(抵抗) - FET - GND

(2)FETをハイサイドへ
VCC - FET - R(抵抗) - GND

(1)の場合、GNDと FETのD(ドレイン)間をオシロで測定すると
FET OFF のときリンギングが発生します。
FET ONのタイミングではリンギングがまったくありません。
これは私にも理解できます。

しかし、
(2)の場合GNDと FETのS(ソース)間をオシロで測定すると
FET ONのタイミングでリンギングが発生します。
FET OFFのタイミングではリンギングがまったくありません。
(1)と(2)で違います。
この理由がわかりません。

ご教授お願いします。

回答No.2

terminator_5 · ベストアンサー

両方に共通するのは出力がHiになった瞬間にリンギングが発生しているようですので、VCC側に存在する寄生インダクタンスが影響しているのでしょうか？

お礼

回答ありがとうございます。

>VCC側に存在する寄生インダクタンスが影響しているのでしょうか？
VCC - GND 間にはデカップリングコンデンサ
VCC 側のパターン幅、長さ
GND側のパターン幅、長さ
・・・からして、特にVCC側が弱いとも思えないのですが？

回答No.3

mink6137

＞Gate抵抗はリンギングを発生しやすくするために小さくします。

これは誤解でしょう。
ゲート抵抗を入れるのはソフトスイッチのためです。

＞(1)の場合、GNDと FETのD(ドレイン)間をオシロで測定すると
＞FET OFF のときリンギングが発生します。
＞FET ONのタイミングではリンギングがまったくありません。
＞これは私にも理解できます。

これも何かの間違い？
適切な駆動回路で駆動すればFET OFF のときにリンギングは発生しません。
抵抗RとFETの寄生容量とで一次遅れ系の応答をする筈です

・駆動回路のロウ出力電圧レベル
・駆動回路の駆動力不足
・ゲート抵抗の大きさ
のいずれかに問題があります。

＞(2)の場合GNDと FETのS(ソース)間をオシロで測定すると
＞FET ONのタイミングでリンギングが発生します。
＞FET OFFのタイミングではリンギングがまったくありません。
＞(1)と(2)で違います。

これもハイサイド駆動系が不適正だからでしょう。
ロウサイド側の問題の他に、
・専用のハイサイド電源
・その電源で動くハイサイド駆動回路
が必要ですが、どうなっていますか。

回答No.1

Gletscher

回路図を書いてください。
抵抗値やドライブ回路もね。