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非反転差動について
MOSFETを用いたソースフォロアとゲート接地をつなげた回路を非反転差動と呼ぶらしいのですが、まず入力をソースフォロアのゲートに加えて、それにより電流が流れ、その電流がゲート接地に流れて負荷を駆動して利得を得るという構造の回路を作りたいのですが、この構造でなぜ増幅できるのかが良く分かりません。まずソースフォロアはAv≒1であることと、MOSは電圧制御素子でゲートに電流が入っても増幅されない気がするのですがどういう原理で動くのか誰か教えていただけないでしょうか?よろしくお願いします。
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回答No.1
いくつか補足してください。 >> という構造の回路を作りたいので << デバイス設計ですね? >> まずソースフォロアはAv≒1である << 電子回路の知識がお有りのように読めますが、どの程度でしょう、FET1個の増幅回路のバイアス設計はOKですか。バイポーラTrでの回路知識はいかがですか。 >> MOSは電圧制御素子でゲートに電流が入っても増幅されない気がする << ここが全く理解できませんです、もっとくわしく教えてください。ゲートに電流がというのは信号成分(交流)がCdgなどを通って流れることを言ってますか?その電流自身は増幅機能の担い手じゃないです、が ゲートに信号電位を与奪することと不可分です。その電位がFETの機能を演出します。 (なお、パターンニングやプロセス的な回答は期待できません、ここは教職の回答者が多そうだし 現役な人は仕事に近い話はクチが重くなります。)