• ベストアンサー
  • すぐに回答を!

Siダイオード、Geダイオードの立ち上がり特性について

SiとGeの順方向特性についての実験を行いました。測定値をグラフに書いてみたところ、どうもGeの方が立ち上がりが急でした。どの教科書を見てみても、Siが急に変化し、Siはゆっくり増加する、と記してあったのですが、この実験はどこか間違っているのでしょうか。教えて頂けたらと思います。 実験内容:抵抗300Ωとダイオードを直列につなぎ、DC電源にて電圧をかけた。 Siダイオード 電圧[V] 電流[mA] 0.00   0.006 0.10   0.006 0.18   0.006 0.20   0.006 0.30   0.009 0.35   0.011 0.40   0.021 0.45   0.051 0.46   0.061 0.47   0.074 0.48   0.094 0.49   0.113 0.50   0.136 0.51    0.171 0.52    0.212 0.53    0.258 0.54    0.327 0.55    0.39 0.56    0.485 0.57    0.598 0.58    0.736 0.59    0.91 0.60    1.015 0.61    1.389 0.62    1.71 0.63    2.095 0.64    2.559 0.65    3.151 0.66    3.849 0.67    4.713 0.68    5.687 0.69    6.88 0.70    8.296 0.71    9.988 0.72    11.94 0.73    14.187 0.74    16.888 0.75    19.864 0.76    23.40 0.77    27.44 Geダイオード 電圧[V] 電流[mA] 0.00    0.009 0.10    0.009 0.18    0.119 0.20    0.212 0.22    0.433 0.23    0.633 0.24    0.899 0.26    1.809 0.28    3.59 0.30    6.836 0.31    9.386 0.32    12.117 0.33    15.668 0.34    19.899 0.35    24.87

共感・応援の気持ちを伝えよう!

  • 回答数4
  • 閲覧数3486
  • ありがとう数3

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
  • 回答No.3
noname#116741
noname#116741

Geです。こう描くと、順方向電流に対して順方向電圧が「Siが急に変化し、Geはゆっくり増加する」と言えますよね。

共感・感謝の気持ちを伝えよう!

質問者からのお礼

回答ありがとうございます。 わかり易い説明で理解ができました。

その他の回答 (3)

  • 回答No.4
  • info22
  • ベストアンサー率55% (2225/4034)

>この実験はどこか間違っているのでしょうか。 実験は間違っていません。 教科書は縦軸に順方向電圧、横軸に順方向電流をとって描いたグラフの曲線の説明です。 >測定値をグラフに書いてみたところ、どうもGeの方が立ち上がりが急でした。 一方、あなたのグラフは縦軸に順方向電流、横軸に順方向電流をとって描いたグラフについて観察しているので、教科書とは逆のグラフの特徴になっているだけです。 グラフの縦軸と横軸を入れ替えれば教科書と同じ特徴になります。

共感・感謝の気持ちを伝えよう!

  • 回答No.2
noname#116741
noname#116741

Siです。

共感・感謝の気持ちを伝えよう!

  • 回答No.1
  • fjnobu
  • ベストアンサー率20% (489/2329)

動特性と静特性の違いでは無いですか?道徳性はパルスを与えて電流変化を見ます。

共感・感謝の気持ちを伝えよう!

関連するQ&A

  • SiダイオードとGeダイオードについて

    SiダイオードとGeダイオードとでは、立ち上がり電圧や逆方向飽和電流の値がかなり違うのはなぜなんでしょうか?、あと、現在Geダイオードを使用することが極めて少なくなったのは、なぜか教えてくれませんか

  • 高校生なのですが、この度ダイオードの温度特性の実験をしました。そこで課

    高校生なのですが、この度ダイオードの温度特性の実験をしました。そこで課題が何個かでて、といていったのですが、この2つがわからないのでどなたか、優しく解答お願いします。 (1)Siツェナーダイオードの測定結果から、ツェナー電圧Vzを求めなさい。また、このダイオードの応用を簡単でよいから求めよ。 ↑これは、Vzの求めかたと、この応用がわかりません。 (2)α=1と論理的にはなるが、Ge及びSiダイオードの順方向I‐V特性を片対数グラフにまとめ、グラフより係数αをもとめよ ↑これは、まず係数αがなんなのかと、求め方がわかりません お願いします。 I=Is(exp・eV/αkT -1)のときのαです。 ちなみに、k=ボルツマン定数、e=単位電荷量、Is=逆方向飽和電流です。

  • ダイオードの特性

    ダイオードの電流-電圧特性の立ち上がりはexpだと思うのですが、 途中から抵抗と同じような電流-電圧特性になると思います。(バンド図等で考えて) そこで質問なんですが、指数から線形にかわる電圧というのは 約何ボルトなのでしょうか? 理由も教えてください

  • ダイオードの電圧特性について

    実験でダイオードの特性の測定をする機会があったのですが、そのとき疑問に思ったことを質問させていただきます。順方向特性と逆方向特性においてそれぞれ測定する際に電流計が挿入される位置が異なりました。 順方向特性・・・|――|          ▼  V          |__|          |          mA          | 逆方向特性・・・|――|          ▼  |          |  V          mA  |          |    |          |――|          | といったような配置になっているのです。(わかりにくくてすみません・・・) ちなみに▼:ダイオード、mA:電流計、V:電圧計です。 これにはどういう意味があるのでしょうか? よろしくお願いします。

  • ダイオードの静特性

    ダイオードの静特性の実験で順方向電圧と逆方向電圧に別々に分けて実験してるんですけどなぜそのような必要性があるのでしょう?

  • ダイオードの計測時の電圧計について

    こんばんわ ダイオードの順方向特性と 逆方向特性の実験において、 電源装置ー↓ーーーー電流計ーーーー↓ーーーーーー↓  ↑   電圧計1            電圧計2    ダイオード  ↑   ↓                ↓         ↓  ------------------ーーー--- このような実験回路で行う場合 電圧計の位置が、順方向の場合は電流計よりダイオード側(2側)に 逆方向特性の場合は電源装置側(1側)になる理由を教えてください! おねがいします

  • ダイオードの特性式、順方向降下電圧について

     LEDの特性について理解を深めようとしている者です。 ダイオードの特性式と順方向降下電圧について質問させてください。  ダイオードの順方向降下電圧はダイオードの種類によって様々で、 シリコンダイオードなら0.6Vから0.7V,LEDになると2.0Vから3.5V程度になる、ということを学びました。 また、ダイオードの電流-電圧特性は I=I0{exp(qV/nkT)-1} で与えられる、とさまざまなところで見たのですが、 この式でq,kはそれぞれ電気素量、ボルツマン定数で一定、 nは1から2までの値を取る、 Tは絶対温度、およそ300K、となるので、 結局大きく変わる変数としては逆方向飽和電流I0のみとなると思うのですが、 この式で、例えば順方向降下電圧3.5Vのダイオードの電流-電圧特性のグラフにフィッティングさせようとすると、 I0がとんでもなく小さな値(1.0×10^(-40)A程)になり、いくら逆方向に電流を流さないとはいっても違和感を覚えてしまいます。 pn接合部の抵抗を考え、 V'=V+RI (V'はダイオードと抵抗にかかる電圧の合計、Rは抵抗) の式を先ほどのダイオード特性式に当てはめ、 I=I0{exp(q(V'-RI)/nkT)-1} という式に変形させフィッティングしてみても、順方向降下電圧にはほぼ影響がなく、やはりI0が低い値になってしまいました。 LEDにおいて、順方向降下電圧が上がってしまうのはやはりI0が極端に低いからなのでしょうか、 それとも他に要因があるのでしょうか? LEDだけでなく、順方向降下電圧に同一温度下でも幅が出るのは、すべてI0によるものなのでしょうか? 物性面で違いが出るのはもちろんわかるのですが、それが特性式のどこに関わってくるのかが理解できていません…。  他に要因があるのでしたら、ダイオードの特性式に絡めて説明していただけると非常に助かります。 よろしくお願いします。

  • ダイオードの順方向特性

    ダイオードの電流ー電圧特性のことで 逆方向電圧を大きくしていくと、降伏するのは分かっているのですが、順方向電圧を大きくしていくとどうなるかを教えてください。(発熱によるダイオードが破壊されない時の状態で) できれば、その理由などもおしえてもらいたいのですが・・・

  • ダイオードの障壁特性について

    ダイオードの電圧-電流特性を調べる実験をしました。実験では、電圧Vを変化させたとき(-10[V]~1.0[V])の電流Iを測定しました。この結果と、使用した現実のダイオードの等価回路(図参照)に基づいて、pn接合部の障壁特性の分離抽出をせよ、と言われました。自分的には、電圧を印加していない状態でのダイオードの拡散電位差Vdがなどが、このことと関係しているのではないかと考えています。しかし、参考書、ネットを駆使しても明確な解答、考え方が示されていなかったので大変困っています。どなたか教えてください。お願いします。    |―(アノード)ダイオード(カソード)――抵抗Rs―| ●―|                               |―●    |――――――抵抗Rp―――――――――――|

  • 一般性流用ダイオードに直流電圧を印加したときの流れる電流値について

    1.一般性流用ダイオード(例えば以下) http://www.niec.co.jp/seihin/jpnpdf/10dda10.pdf の順方向に1.0Vの直流電圧を印加した時の電流値は順電圧特性のシート(3ページ目Tj=25℃)からすると1.0Aということになるのでしょうか? 2.また、そのダイオードを2個直列に接続して、順方向で両端に1.0Vの直流電圧を印加したときに流れる電流は何アンペアになるのでしょうか? 単純に考えれば、「0.5A」のような気がしますが、そもそも、2個直列に接続した時に直列の両端に1.0Vを印加したとしても、それぞれの素子の端子電圧は0.5Vなのですから、先の順電圧特性のグラフより類推すると、「1mA以下」とも考えられます。 出来ましたら根拠とともに教えてください。