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ダイオードの特性
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- xpopo
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ダイオードの電流－電圧特性はダイオード電流をID、ダイオードの逆方向飽和電圧をIsとして Vｄ ＝ （ｋT/q）*ｌｎ（1 + ID/Is) + rs*ID で表されます。上の式で、ｋはボルツマン定数、Tは絶対温度、qは電子素量、ｒｓはダイオードの 抵抗成分です。式で、（kT/q)は常温で約26mV、また逆方向飽和電流はダイオードにより異なりますが 200mAクラスのダイオードで3nA程度です。抵抗成分rsはダイオードのサイズで大体決まってしまう ようです。一例ですが、ある200mAクラスのダイオードでは0.56Ω。また、3Aクラスのあるダイオード では11mΩというようにダイオードのサイズや品種で異なります。
- sailor
- ベストアンサー率46% (1954/4186)
電流電圧特性はexp曲線ではありません。接合部の空乏層をキャリアが超えるのに必用な電圧（ドナーレベル・アクセプターレベル）に達するまで殆ど増加せず、その後急激に電流値が増えほぼ比例特性を示すようになります。接合部ではＰ・Ｎそれぞれのキャリア同士が結合し平衡状態にありますが、これを崩すのに必用な量のキャリアが注入されるまでは電流が流れない状態で、これを越えた時点からなだれ的に電流が流れ出します。 電圧はシリコンダイオードで０．６Ｖ程度、ゲルマニウムダイオードで０．２Ｖ程度ですが、接合の形状やドナーやアクセプターの種類によって微妙に異なります。 参考 http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%83%80%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%BC%E3%83%89
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お礼
返事が遅くなってすいません ＞電圧はシリコンダイオードで０．６Ｖ程度、ゲルマニウムダイオードで０．２Ｖ ここだけで良かったのですが上部分の説明ありがとうございます。 ＞電流電圧特性はexp曲線ではありません 大学の授業でPNダイオードの特性はI=Io(exp(qV/nkT)-1)と教えられ、その後ある教授に質問したところ、 「途中までは指数だが、ある電圧から線形となるから、I=Io(exp(qV/nkT)-1)は正確に言うと嘘だね」 みたいなことを言われました。 その時のバンド図での説明がわかりやすかったので納得したのですが、なぜexpではないのでしょうか？