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トランジスタのエミッタホロワ(電圧利得1)が理解できません。
candle2007の回答
- candle2007
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バイポーラトランジスタにおいては、ベースーエミッタ間電圧は基本的に0.7Vです。 (トランジスタによって、また動作電流によって、0.65~0.75Vくらいの差はありますが、同一トランジスタならそれほど大きく変ることはありません) 今仮に、コレクタ電圧 12V, ベースバイアス電圧6.7Vで、エミッターGND間に100Ωの抵抗が入っているとします。 そうすると、エミッタ電圧・電流は、 エミッタ電圧 =(6.7-0.7)V=6V エミッタ電流 =6V/100Ω=60mA となり、エミッタは電源電圧とGNDとの中点電位に保たれます。(注1) ここで、4Vrmsの交流信号がベースに入ってきたと仮定します。 (トランジスタ側の入力インピ-ダンスより、ドライブ側の出力インピーダンスの方が十分低いことが条件) そうすると尖頭値は、 =4Vx1.41=5.6V 上昇しますから、 ベース電圧尖頭値=6.7+5.6=12.3V よってエミッタ電圧は、 12.3-0.7=11.6V となります。 (電源電圧いっぱいに上がっていることに注目・・・すなわちトランジスタのコレクターエミッタ間電圧は僅か0.4Vしかない・・・この状況を「トランジスタが飽和した」という) 次の半サクルで、今度はベース電圧は、 6.7-5.6=1.1V まで下がります。 よってエミッタ電圧・電流は、 エミッタ電圧 =(1.1-0.7)V=0.4V エミッタ電流 =0.4V/100Ω=4mA これは「トランジスタが(殆ど)遮断」した状態です。 説明がちょっと脱線しましたが、この入力振幅最大・最小の間において、「ベースーエミッタ間電圧は不変(0.7V)」であることに注目してください。 すなわち、「エミッタ電圧はベース電圧に追随して変化する=利得1」なわけです。 注1 この説明にはちょっと論理の飛躍があります。 それは電流増幅率:hFEの役割を省略している点です。 実際には、60mAの電流を流す為には、「もしベース電流が0.5μAの供給能力しかなければ、 hFEは120以上なければならない」ということになります。 ただ、これはベースバイアスを設計するときの問題であり、コレクターエミッタ間電圧の設計(電圧配分)には、[0.7V差]を持ってくるほうが手っ取り早いので、こういう説明にさせていただきました。
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