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埋め込み型フォトダイオードについて
syowamanの回答
- syowaman
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根本的に空乏層の解釈が間違ってます。 空乏層とは障壁であり、言ってみればキャリアに対する障害物です。 ですから空乏層が広くなれば（厚くなれば）キャリアがそれを越えるのに大きなエネルギーが必要となります。 MKSAさんは電気系、応用物理系の大学生の方でしょうか？ 空乏層の根本的な理解のために、まずフォトダイオードに入る前に半導体工学や物性工学の帯理論を学んだ方がいいかもしれません。 またここで述べたキャリアが何なのか分からないようであれば、不純物半導体（ｐ形、ｎ形）から入りｐｎ接合を調べてみてください。
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補足
ご回答ありがとうございます。 空乏層とは障壁ですか・・・。私の解釈では、空乏層には電界があり、 この空乏層に光が吸収されて発生するキャリアはその電界に引かれて 信号電流が流れる。従って、信号電流の発生場所でもある空乏層が広ければ 光が吸収される確率が増え、フォトダイオードとしての光感度が高くなる。 と思っています。逆バイアスを印加すれば空乏層が広がり、感度も高くなる。同じ感覚で、 npnあるいはpnp型はpnよりも空乏層が広くなるので感度が良くなる・・・。 確かに、空乏層の周囲の中性領域から空乏層を見ると障壁に見え、 その山を越えるのは難しいとも考えられます。 空乏層の厚さは光検出にどのように関係するのか、やっぱりよく分かりません。