フォトダイオードについて

質問

フォトダイオードを逆バイアスした場合、入射した光子から正孔・電子対が形成されて、空乏層の電界によりそれらがｐ型・ｎ型に移動することによって電流が流れる。

では、フォトダイオードを順バイアスした場合、形成された正孔・電子対は、空乏層の電界が弱まっているのでそれぞれｐ型・ｎ型に移動しないのですか？形成されてすぐにその場で消滅するのですか？

回答No.1

semikuma

空乏層の電界が弱まっているというよりも、空乏層がなくなって、多数キャリアが存在する中で正孔・電子対が形成されるので、多数キャリアとすぐ再結合して消滅します。

ご参考
http://oshiete1.goo.ne.jp/qa4432346.html