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ダイオードの再結合電流
ダイオードの理想係数を勉強するにあたって低電流域では「再結合電流」が支配的と書いてあり、理想に比べ電流が流れにくいようです。 再結合電流の発生機構としては例えばn形から電子がp形に注入される場合、注入前に空乏層で再結合してしまい、減った電子の分が電極から補てんされ、このキャリアの動きが再結合電流となっていると考えたのですがコレ拡散電流の発生機構とほぼ同じな気がするし電流が理想より流れにくくなる理由にならないと思うのですが 誰か教えてください
- supertakeshi
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- terminator_5
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＞再結合電流は全く拡散電流とは違った機構なのでしょうか。 リンク先のpdf資料によると空乏層内の再結合準位を通して電子とホールが再結合することにより流れる電流が再結合電流とあります。 --- pn接合に順方向バイアスを加えた場合 は拡散電流と再結合電流が流れる。 拡散電流とは、順バイアスによって空乏層にできる電位障壁が弱められて、p型層からn型層にホールが、n型層からp型層に電子が注入されることによって、流れる電流である。 再結合電流は空乏層内の再結合準位を通してp型層のホールとn型層の電子が再結合して電流として流れるものである。
- terminator_5
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空乏層はキャリアを消失することによってp型半導体は負に帯電し、n型半導体には正に帯電するため、それぞれのキャリアが互いに拡散しようとしても押し戻そうとする内蔵電場が生じます。 順方向バイアスにより内蔵電場を弱める方向に電圧を与えることにより、空乏層の間隔が狭まることによってキャリアの再結合が起こる確率が高まり、更に内蔵電場を超える電圧を与えるとキャリアは互いに拡散して電流が流れます。 http://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/img/pn5.pdf
補足
拡散が起こる前に再結合してしまう？のでしょうか 再結合電流は全く拡散電流とは違った機構なのでしょうか。
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お礼
ありがとー！！！
補足
拡散電流に比べ再結合電流の方が小さな値を示すのでしょうか？