- ベストアンサー
膜厚について
基本的に膜厚が大きいということのメリットは何なんでしょうか？ 実験をする際に、性質が安定することより、より正確なデータを得ることが可能なのでしょうか？ 同じ膜厚でも製膜時間の違いで膜の質が違ってくるのでしょうか？ 突然の質問で申し訳ございません。 当方、アモルファスシリコン薄膜を作っており、 通常作成した膜厚は３００ｎｍ～２μｍぐらいです。 ちょうど１μｍの膜厚を製膜を考えています。 製膜時間をできるだけ短く抑えたいのですが、 膜の質が悪くならないか懸念しています。 また、短い製膜時間で膜厚の大きいものを作るということは、膜が剥がれたりしないのでしょうか？ どうぞよろしくお願いいたします。
- inoueinoue
- お礼率35% (243/678)
- 物理学
- 回答数2
- ありがとう数6
- みんなの回答 （2）
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
＞基本的に膜厚が大きいということのメリットは何なんでしょうか？ 前の方のおっしゃる通りです。 ＞同じ膜厚でも製膜時間の違いで膜の質が違ってくるのでしょうか？ 製膜時間が短いということは、製膜レートが早いということです。 レートが早いということは、それだけ粗く製膜されます。 粗く製膜されれば、欠陥等も増え、基板との密着性も悪くなり、膜剥がれも起きやすくなると思います。
その他の回答 (1)
- walkingdic
- ベストアンサー率47% (4589/9644)
>基本的に膜厚が大きいということのメリットは何なんでしょうか？ 用途によって単純に膜厚が厚い方が良い場合もあれば、適正値が存在する場合もありますので一概にいえません。 >同じ膜厚でも製膜時間の違いで膜の質が違ってくるのでしょうか？ 製膜時間が異なるということはプロセス条件が違うわけだから、膜の質が異なる可能性は十分あります。 >短い製膜時間で膜厚の大きいものを作るということは、膜が剥がれたりしないのでしょうか？ 一概にそうとはいえませんが、先の話と同じでそういうことも起こりえます。
お礼
ありがとうございました。
関連するQ&A
- シリコンウェハについての質問です。
シリコンウェハについての質問です。 シリコンウェハにはp型とn型がありますよね。 それぞれの違いについて、含まれる不純物が違うというところまではわかったのですが、 具体的にどのように性質が違うのかを教えてください。 ちなみに私は、シリコンナイトライドを製膜したシリコン基板を ドライエッチング、ウェットエッチングを用いて薄膜にして その薄膜にナノポアを開けてデバイスにするという作業を行っています。
- ベストアンサー
- 物理学
- モノメチルシランって
現在、プラズマＣＶＤ法により、 モノシラン１００％で水素化アモルファスシリコンを製膜しています。 これをモノメチルシラン１００％にすると、どういったものができるのでしょうか？ 水素化アモルファスシリコンができるのでしょうか？ また、モノメチルシランとモノシランの違いについてもどなたかレクチャーよろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 化学
- フォトルミネッセンス測定で
ガラス基板上に製膜したシリコン薄膜のフォトルミネッセンスを 測定したんですが、膜が薄いせいか基板が光ってしまいます。 何かよい方法はないでしょうか？
- ベストアンサー
- 物理学
- 酸化銅の膜厚測定
酸化銅膜厚を測定できる膜厚計をご存じであれば教えてください。 膜厚管理のための工程導入が目的になりますので、”分析”ではなく、”測定”のイメージになります。 被測定物情報は下記になります。 ・基材（銅）上に数百nm～数μmの酸化銅膜が製膜されており、この膜厚を測定したい ・酸化銅膜は透明ではなく有色（赤褐色） ・酸化銅膜は針状結晶をしているため、膜表面は凹凸形状 下記手法を検討したのですが、測定が難しいようです。 ?光干渉法式の膜厚計 → 表面の凹凸で乱反射するため測定不可 ?渦電流式の膜厚計 → 機器精度不足のため測定不可（nmレベルは測定できない） ?レーザー変位計を利用した膜厚測定 → 機器精度不足のため測定不可（nmレベルは測定できず） 宜しくお願いします。
- 締切済み
- メッキ
- ＣＰＭ（Constant photocurrent method）について
タイトルの通り、 ＣＰＭ（Constant photocurrent method）を使用しています。 サンプルは、 カバーガラス上にプラズマＣＶＤ法で製膜した水素化アモルファスシリコンです。 膜厚は１ミクロン（１μｍ）です。 結論から申しますと、光電流の定義がわかりません。 要は、ＣＰＭの測定方法がわからないということに直結しますが。 これまで、 ６００ｎｍ波長、７０Ｖを光電流としてきましたが、 これがどうやらおかしいみたいです。 測定は、６００ｎｍ～１４００ｎｍまで行い、 ランプの定格が１００Ｖなので、 こういった選定になったのか、、、 なんせ、過去の測定方法を見てもバラバラで、 ＣＰＭの測定方法など書かれたものがなく、 僕が知っている限りでは、 光電流は、波長と光源電圧で決まり、 暗電流を無視できるぐらい十分の値（暗電流の約１００倍）をとる ということですが、 では、光電流というのは、 サンプルによって、波長、光源電圧が変わり、 長波長や短波長、電圧が高い、低いなどという概念に縛られなくてよいのでしょうか？ どなたかアドバイスよろしくお願いいたします。
- ベストアンサー
- 物理学
- 実験室のX線？大型放射光施設？
シリコン基板上の非晶質シリカ薄膜（膜厚100nm程度）の 動径分布関数を測定しようと考えています。 おそらく微小角入射X線散乱で測定するのだと思うのですが、 この測定は実験室のCuKαのX線で測定可能でしょうか？ それともSpring-8のような大型放射光施設でなければ 不可能でしょうか？ 時間がかかるが実験室で可能という話であれば、 実験室で済ませてしまいたいのですが‥‥。 また、このような測定に関して何かアドバイスがあれば 是非ご教授願いたいです。 ・測定の困難性 ・大型放射光施設のマシンタイムの取り方など 以上、宜しくお願い致します。
- ベストアンサー
- 物理学
お礼
ありがとうございました。