• 締切済み

MOSFET 寄生インダクタンスとは

MOSFETのドレインソース間に出来る 寄生インダクタンスとは どのようなものでしょうか? すいませんが教えていただけますか?

みんなの回答

  • notnot
  • ベストアンサー率47% (4855/10270)
回答No.1

・そもそも寄生インダクタンスという言葉がわからない ・寄生インダクタンスは知っているが、MOSFETのドレインソース間の寄生インダクタンスが何故特筆されたのかわからない のどちらでしょうか?前者であれば、検索すれば情報がいくらでもあります。後者であれば、話が出てきた文脈によると思います。

全文を見る
すると、全ての回答が全文表示されます。

関連するQ&A

  • mosfetの構造について

     電子デバイスの初心者なので基本的な事かもしれませんがよろしくお願いします。  MOSFETについてですが、MOSFETは普通、ゲート、ソース、ドレイン、バルクの4端子があり、ゲートとバルク間に電位差をつけることでソース、ドレイン間のスイッチングができると理解しています。  私の場合バルクとソースを異なる電位で使用したいと考えており、4端子のMOSFETがほしいのですが通常市販されているMOSFETはどれもバルクとソースが短絡されてしまっているものばかりのように思われます。このような構造になっているのは何か理由があるのでしょうか?  MOSFETのスイッチング操作を行うためのゲート・バルクを通る回路とスイッチングで制御されるソース・ドレインの回路を独立した2つの回路のように使用したいのですがこのようなことは可能なのでしょうか?  よろしくお願いいたします。

  • MOSFETのバックゲート

    MOSFETのバックゲート電圧を動的に制御することで 寄生ダイオードを等価的に消せるという認識は正しいのでしょうか? 具体的には NchMOSFETで、ソース側に寄生ダイオードのアノード ドレイン側に寄生ダイオードのカソードとなるように等価回路を描いたとき NchMOSFETがOFF状態(ドレイン-ソース間に電流が流れていない状態)で バックゲート電圧を制御する事により、寄生ダイオードを等価回路から消す (NchMOSFETがOFF状態を維持したまま) というイメージです。 上記認識が正しいのであれば NchMOSFETがON状態で、ソースからドレイン方向に電流が流れ NchMOSFETがOFF状態になった際に 寄生ダイオードへの逆バイアスによるリカバリー電流を バックゲート電圧を制御する事でキャンセルできるのかが 最終的には知りたいです。 すみませんが、どなたかご教授願います。

  • MOSFETの基本について教えて下さい。

    いつもお世話になります。電子部品初心者ですがよろしくお願いします。MOSFETの基本について教えて下さい。 ゲート側に電圧をかけない状態では、ソース側にマイナス(-)の電圧、ドレイン側にプラス(+)の電圧をかけても自由電子が移動することはできないのでソース・ドレイン間の電流(Id)は流れないと理解していましたが、実際に購入したMOSFET(R6007ENX ローム)ではゲートに電圧をかけない状態で、DC24V電源の(+)→リレー→ドレインと繋ぎ、 DC24V電源の(-)をソースと繋ぐとリレーが作動します。(電流が流れます。) MOSFET単品をテスターで確認してもソース・ドレイン間は導通しています。 ゲート側に電圧をかけない状態でも図のように接続するとなぜ通電してしまうのか教えてください。よろしくお願い致します。

  • MOSFET使い方について

    いつもお世話になります。電子部品初心者ですがよろしくお願いします。 機器(データロガー)から4~5Vが出力されていてALARM作動時は0~0.5Vが出力されます。機器から出力されている4~5Vを使ってリレーを動かしたいのですが、よいリレーがわからなかったためMOSFETを使って添付回路を作成しました。しかし想定通りに作動しません。MOSFETのゲートは配線していない(ゲートに電圧をかけていない)状態でドレインとソースを配線するとリレーが作動してしまいます。その状態でゲートを配線しても変化なしです。なぜゲートに電圧をかけていないのにドレイン-ソース間が通電していまうのでしょうか?アドバイスをよろしくお願い致します。

  • mosfetの安全動作領域について

    mosfetのスペックについて分からないことがあります。 スイッチをmosfetを使ってつくりたいと考えているのですが、安全動作領域で分からないことがあります。使おうとしているmosfetは型番2SK3628で定格230V20Aとなっています。mosfetには200V、8A程度に耐えられれば良いのでこの型番にしようと考えたのですが、安全動作領域をみるとドレインソース間電圧が200Vでは、ドレイン電流は1Aも流せないようになっています。このスペックはどういう風に理解すれば良いのでしょうか。 初歩的な質問で申し訳ありませんが、ご回答のほどよろしくお願いします。

  • チップコンデンサの寄生インダクタンスは不変ですか?

    チップコンデンサの寄生インダクタンスは環境によって変化しないのでしょうか? 例えば、0.6mmx0.3mm 5pF のチップコンデンサには、0.2nH程度の寄生インダクタンスが あると、メーカーのカタログに記載されています。長さがあれば、インダクタンスが発生する のは分かるのですが、どのような環境条件でも本当に(ほぼ)0.2nHなのかと疑っています。 薄い(地導体までの距離が少ない)誘電体基板と、厚い基板では、値が大きく変わる ような気がする(0.1nH~0.3nH ?)のですが、いかがでしょうか。 教えてください。

  • 非絶縁型DCDCのMOSFETの測定

    非絶縁型DCDCのMOSFETの測定 研究の一環として非絶縁型のDCDCコンバータに使用されている MOSFETの各電圧・電流を測定したいと考えています。 しかし、私が測定しようとしている非絶縁型のDCDCコンバータのMOSFETは 表面実装タイプですので、ドレイン・ソース間電圧(VDS)やゲート・ソース間電圧(VGS)は なんとかリード線を出して測定することが可能かと思うのですが、 いくら考えてもドレイン電流(ID)を測定するアイディアが出てきません。 よろしければ、どうのようにすれば表面実装タイプのMOSFETのIDを測定することが 可能になるのか教えて頂きたく思います。

  • PチャンルMOSFETの電流方向

    ON/OFFのスイッチングをPチャネルMOSFETで構成 いようとしていますが、PチャネルMOSFETは、 ソースからドレインに電流が流れるのでしょうか。 逆に流したら壊れるのでしょうか。

  • MOSFETを使ったレベル変換について

    MOSFETを使用して5V信号と3.3V信号のレベル変換をしようとしています。ゲート電圧は固定でソース-ドレイン間はONさせたままで使用する予定です。そこで質問ですが、N-ch MOSFETの場合、内部に等価的にソースからドレイン方向にダイオードが入っています。ソース側に5V、ドレイン側に3.3Vを繋いだ場合、このダイオードを通って電流が流れ、3.3V系の電位が上昇してしまうことはあるのでしょうか。その場合にはソース側の電位を低く(3.3V)してやれば問題なく使えるようになりますか?回路設計中で急いでます。専門書も探しているのですが、スイッチングなどについての記述はあっても、レベル・シフトについての記述が無く、困っています。宜しくお願いします。

  • mosfetトランジスタの耐圧について

    mosfetトランジスタの耐圧について教えて下さい。ゲート-バックゲート間はゲート酸化膜で 耐圧が決まってくることは単純にわかるのですが、ゲート-ドレイン/ソース間の耐圧は物理的に何に依存して決まってくるのでしょうか?