MOSのキャリア移動度の求め方

質問

MOSのキャリア移動度の求め方について教えて下さい。
MOSの形状比の算出式にW/L＝2Ids/（μCoxVeff^2）と記述されており、これを基に形状比を求めたいのですが、μの算出方法が分かりません。
Coxは酸化膜圧toxでMOSのモデルファイルなどに記述されていたのですが、移動度μに関してはどのように求めていくのでしょうか？
そもそもの考え方が間違っているのであれば、正しい導きだしのSTEPを教えて下さい。

又、得られたW/Lの形状比はそのあとどのようにしてW値・L値を出していくのでしょうか？形状比さえ合っていればW値・L値は適当で良いってわけでもないですよね？

初心者的な質問で申し訳ございませんが、どなたかご教授頂けると幸いです。よろしくお願い致します。

回答No.1

rabbit_cat

μは、まあ、適当に典型的な値をいれればいいのでは。
シリコンの結晶で室温（300K）なら
電子の移動度は 1400 cm^2/V·s
正孔の移動度は 450 cm^2/V·s
くらいです。ていうか、それこそモデルファイルに、移動度も書いてあるのでは。

状況がよくわからないんですが、とにかく、得体の知れないＭＯＳトランジスタが目の前にあって、それの静特性から、ＷとＬを知りたいってことですかね。
そうですね、次は、補和領域での Vds - Ids依存性（チャネル長変調係数）からＬを求めるんでしょうか。とはいっても、チャネル長変調係数
はＬに反比例するってのはわかりますが、その比例係数はきれいな式では表わせないので、Ｌの絶対的な大きさを知ることは難しいか。

なんというか、やっぱり、ＷとＬを知りたいという状況がよくわからない。ＷとＬはそれこそ回路設計者が好きな値に決めるものなんですが。