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ダイオードの拡散電位について

ダイオードの電流-電圧特性から測定した拡散電位が720mVでした。 そして、このダイオードに逆方向バイアスしてコンデンサとしての容量-電圧特性で割り出した拡散電位の値が400mVでした。 このダイオードが傾斜形接合をしている…ということまでは分かったのですが…。 この拡散電位の違いは何なのでしょう?測定ミスでしょうか…。 どなたかご存知の方、教えていただけないでしょうか?

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  • inara1
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拡散電位 Vb は、電流-電圧特性の立上がり電圧にほぼ一致します。この電圧は半導体のバンドギャップエネルギーが大きいほど大きくなります。Si では 0.6~0.7V、Ge では0.3V程度になります。Siダイオードで実験しているのなら、Vb = 720mV のほうがもっともらしい値です。容量-電圧特性から求めた Vb が間違っている可能性があります。 >このダイオードが傾斜形接合をしている…ということまでは分かった 傾斜接合なら、 1/(容量^3) と バイアス電圧 V の関係は、以下のように、V < 0 の領域で直線になるはずです。      1/(容量^3)  \    ↑    \  │      \|        |・        |  ・  ――――┴――-・―→ V  V < 0   0    Vd この直線を 0 < V 側に延長して横軸と交わる点の電圧が 拡散電圧 Vd になります。実験は V < 0 の領域でされていると思いますが、V が 0V に近い領域では他の要素(拡散容量)の影響が出てくるので、逆バイアスが充分深い領域( V << 0 )で測定したデータを使って Vb を求めたほうがいいです。傾斜接合なら、グラフの縦軸は 1/C^2 でなく 1/C^3 ですが、これは間違っていませんね? >電流-電圧特性から測定した拡散電位が720mVでした ダイオードの飽和電流 Is [A] と拡散電位 Vb [V] の関係は    Is = S*A*T^2*exp{ -q*Vb/( k*T ) }    → Vb = ( k*T/q )*ln( S*A*T/Is ) で表わされます。S は接合の断面積 [m^2]、A はリチャードソン定数 [A/m^2/K^2]、T は接合温度 [K]、q は電子の電荷 [C]、k はボルツマン定数 [J/K] です。リチャードソン定数は半導体中の電子の有効質量に比例するので、有効質量の見積もりが誤っていると計算される Vb が違ってきます。

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質問者からのお礼

inara1さん、回答ありがとうございます。 グラフの縦軸は1/C^3にしているので問題ありませんし、inara1さんのグラフのようになりました。 そこで、inara1さんの、「逆バイアスが充分深い領域」を試してみたところ、720mVに近くなりました。グラフをよくよく見たら、Vが0に近くなるにつれて曲がってましたorz 無事解決することができました。ありがとうございます。

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  • 回答No.1

詳しくは知らないんで、間違ってるかもです。 順方向のバイアスと逆方向のバイアスでは、 ダイオードの空乏層の厚さが変化するので、その影響ではないでしょうか。

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質問者からのお礼

orcus0930さん、回答ありがとうございます。 空乏層についても考えて見ます。

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