• ベストアンサー

バンド理論で、E(k)=E(k+G)?

atomicmoleculeの回答

回答No.1

バンド理論といっているわけなので自由電子ではなくて、固体中の電子を考えていると思います。おそらくブロッホ関数をみて自由電子と混同していると思いますが、ブロッホ関数は周期ポテンシャルの中での電子の波動関数ですから注意してください。  (e^{ikx}だけでなくu_k(x)がかかっている事に注意してください) ブロッホ波動関数でkが逆格子ベクトルでかけている事から、物理量をフーリエ変換してみると F(k)=F(k+G) が導出されます。ここでもkは自由電子の波数ベクトルではないことを注意すれば導出は難しくないとおもいます。周期ゾーン形式と拡張ゾーン形式というのは知りませんので他の方のアドバイスを期待します。

kyongsok
質問者

補足

回答ありがとうございます!質問が言葉足らずだったようで…(汗) ブロッホ関数は知っています。シュレーディンガー方程式をフーリエ変換するやり方も知っているのですが…キッテルの固体物理を読んでいます。 >ブロッホ波動関数でkが逆格子ベクトルでかけている事から、物理量をフーリエ変換してみるとF(k)=F(k+G)が導出されます。 Eも含めてここに出てくる物理量すべて、ですか?物理量とは観測できるものに限る、と解釈していいんでしょうか。波動関数すらもGの周期性を持つのでしょうか?波動関数の展開係数CがGの周期性を持たないことから波動関数はGだけ並進させても一致しないのでは? なんにせよF(k)=F(k+G)の導出の過程を理解できてないので…どこの参考書に載っているとか教えていただければ嬉しいです。 ※ちなみにブロッホ関数のkは逆格子ベクトルGとは限りません。周期的境界条件 φ ( x ) = φ( x + L )を波動関数に与えたとき出てくるk=2πn/Lです。逆格子はG=2πn/aです。(Lは金属バルクのx方向の幅のように考えています。L>>aです。)

関連するQ&A

  • E-k分散関係の図の捉え方

    E-k分散関係の図の捉え方 こんにちは、大学で光物性を学んでいるものです。 数点お尋ねしたいことがあるのですが、 (1)k=0は波長が非常に大きい、つまり格子が振動していないということでエネルギーが無く、 k⇒π/a (a:格子定数)に向かうほど良く振動し、エネルギーが増えるという感覚で正しいでしょうか? (2)直接バンドギャップ半導体において、k=0から垂直なホールから電子への線がエネルギーギャップだということは理解していますが、波数が0なのになぜ遷移するのかが理解できません。 すみませんが、ご教授くださいませんでしょうか? よろしくおねがいします。

  • エネルギーE=(h~k)^2/(2m)について

    基本的な事柄ですみませんが教えてもらいたい事があります。 固体物性の分野でよく自由電子のエネルギーをE=(h'k)^2/(2m)と表しますが、ボーアの理論における電子の離散的なエネルギーとでは何が違うのですか?例として水素原子のエネルギーはE=-(me^4)/(8ε^2h^2n^2)と表されて量子数nで不連続なエネルギーを持ち、基底状態n=1でもE=0にはなりません。一方、E=(h~k)^2/(2m)は、エネルギーEは波数kで連続な値を持つ(厳密にはブリルアンゾーンで不連続ですが)2次関数で表され、k=0の時はE=0となります。また、イオン化?して束縛されてない?状態を表しているのかE>0です。 エネルギーの正負の違いは何でしょうか。そして後者は自由電子で波として捉え、前者は古典量子論として電子を粒子とした価電子のエネルギーを指すのでしょうか。それぞれが指すエネルギーEの違いを具体的に詳しくご教授お願いします。m(__)m

  • バンド理論の初歩でつまずいています!!

    以下、僕の理解を示すため、あと、質問に入るため、すこし長文を書きます。 以下が大体の僕の理解だと思ってください。一応、量子力学、統計力学は理解しているつもりです。  結晶中では原子や分子の単位構造が規則的に並んでおり、電気伝導においてはその規則的な構造の中を電子が動き回る。ここでは簡単のため、長さがLの1次元の結晶を考える。量子力学から、閉じ込められた自由電子の波数kとエネルギーEには E = (h_bar*k)^2/(2*m) ; k = ±2πn/L という関係にある。このため、通常であれば自由電子のエネルギーはこの式によって連続的であるはず。  結晶が単位構造が1原子からなり原子間隔がaであるとする。次の式が満たされるとき、波数kの電子の波動関数はブラッグ反射を起こして、その存在密度は散乱される。 k = ±π/a  このため、結晶内で式を満たす波数k付近の波数を持つ電子は自由電子のようにはふるまえない。進行波は散乱され、電子の波動関数は定在波でしか許されない。1つの自由電子の波動関数ψの定常波はシュレーディンガー方程式から ψ(x) = Aexp(ik*x)+Bexp(-ikx) で与えられる。A,Bは任意の定数である。これよりこのモデル結晶での自由電子の波動関数の定在波は、 ψ(+) = exp(ik*x)+exp(-ikx) = 2cos(kx) ψ(-) = exp(ik*x) - exp(-ikx) = 2isin(kx) のどちらかの形をとると考えられる(☆)。 これにより2つのことなるエネルギーを取りうる。この差をバンドギャップという。この差によってエネルギーは連続性を失う。 ひっかかっているのは☆の部分です。 ・・・なんでこの2つの形が許されるのですか? 個人的には差をとっているψ(-)が大変気に食わないのですが・・・。波の重ね合わせの議論ならば、和のψ(+)で十分では? かなり考えたのですがもう泥沼です。助けてください。

  • 波数ベクトルと波動関数

    質問が続けざまですみません。 バンド理論でよく波数ベクトルkが出てきて、kが大きくなると、エネルギーEも大きくなるような図をよく見かけます。何故、波数ベクトルkが大きいとエネルギーEも大きくなるのですか?振動数ν=c/λ、λ=2π/kをE=hνに代入して、E=hck/(2π)となります。波数kが大きいと存在する波の数(エネルギー量子の数)が多くなるので、エネルギーEも大きくなるという考えで合っていますか? また自由電子などを扱っていますが、そもそも電子の何が波なんでしょうか。格子振動の章ではフォノンの振幅など振動子として扱うので波というのは分かりますが、電子の波動関数において波数ベクトルkが何を指しているかが分かりません。電子の波動関数とは電子の存在確率の大小が波のように広がっている事を表していて、その波の波数という事ですか?波動関数Ψ=exp(i k・r)が一体何を表してるのか、もしkが大きくなると電子はどうなるのか、イマイチ理解できません。 どなたかご教授してもらえないでしょうか。お願いします。

  • 簡単化されたエネルギーバンド図!?

    簡単化されたエネルギーバンド図!? この簡単化されたバンド図なんですが、調べてみるとE-k曲線を横から見た図だということだったんですが、それだと横軸のdistanceっていうのは何のことなのでしょうか? また、図の斜線部分は電子の存在できる領域という考えでよいのでしょうか?縦軸のエネルギーの範囲がよくわかりません。ぜひ教えてください(>_<) お願いします。。

  • エネルギーバンド図の見方について

    エネルギーバンド図の見方について こんにちは。エネルギーバンド図や、その見方についていくつかご質問させてください。 (1)バンド図の線について http://www.bandstructure.jp/Table/BAND/band_png/li_bhs_3100.ps.png まず、これはLiのBCC構造のバンド図とのことですが、各線は原子の各電子の 軌道エネルギー値と考えてよいのでしょうか。Liは電子が3つなのに、線が6本あるのは BCC単位胞内に2つの原子があるから、線も6本あるという認識でよいのでしょうか。 (2)格子定数を大きな値にした場合 もし、格子定数をすごく大きな値に設定してバンド計算をした場合には バンド図は横直線が並んだものになるのでしょうか。その準位は、孤立原子での 軌道エネルギーとなるのでしょうか。 Liの軌道エネルギーを計算したところ、-2.48,-2.46,-0.2[hartree]となり、 そのエネルギー幅は約67[ev]程度となりますが、上図では30[ev]程度です。 原子同士が近づくことで、軌道エネルギーはかなり低下するという認識でよいのでしょうか。 (3)エネルギーが分散する理由について 原子同士が近づくと、中心から離れた最外殻の電子の軌道が混ざり合って、エネルギーが分散 するイメージはなんとなくわかるのですが、1s電子などのコアに近い電子の軌道エネルギーも 大きく分散してしまう理由は何でしょうか。 いろいろ質問ばかりで申し訳ございませんが、お分かりになられれば教えてください。

  • 平坦バンドはなぜ金属的なの?

    バンド構造について学んでいる学生です。バンド構造について考えたとき、複数の波数kでフラットバンドがでていると、これらのエネルギー固有値は縮退しているといえる・・ということをどこかで読んだのですが、このことはどんな意味をもつのでしょうか。価電子帯と伝導帯が接している部分の大きさは、物性にどんな影響を及ぼすのか、教えてください。

  • グラフェンのバンド構造から磁化率などを求めるには

    学生実験で一層グラフェンのバンド構造を計測しました。また、フィッティングからエネルギーと波数の関係式E(k)の関数を導出することもできました。ディラックコーンが観測されたので実験には成功したと思います。 これをもとにグラフェンの磁化率や電子比熱、電気抵抗、また電子のドープ量、有効質量などを求めることができると教官が言っていたのですが、これらを具体的にどうやって導出すればいいのかよくわかりません(有効質量だけは分かったのですが)。 教科書を見ると、自由電子近似のもとでフェルミエネルギーでの状態密度D(E_F)の値を用いて金属についてこれらの計算をしているようです。たとえば磁化率χ=μ^2D(E_F)、電子比熱C=D(E_F)π^2k^2T/3など。 しかし、バンド構造から状態密度を求めるやり方が分かりませんし、グラフェンにこういった公式を当てはめていくことが正しいやり方なのかどうかも判断できません。 バンド構造から上記の諸々の物理量を求める方法を教えてください。よろしくお願いします。

  • 固体のエネルギーバンド理論

    Auの自由電子密度はn=5.90×10^22cm^-3である。このとき、金属の自由電子モデルを用いて、フェルミエネルギー、フェルミ波数、フェルミ速度およびフェルミ温度を求めよ。 フェルミエネルギーE_F=h^2/2m(3π^2n)^2/3 hはhバーでhバー=1.05×10^-34Js 最初のフェルミエネルギーの答えが5.49eVなのですがどうやっても答えが出ません わたしはmのところを79にしたんですがそれはあっているでしょうか? あと単位のエレクトロンボルトに変換するために1.60×10^-19Jで割ったりもしました。 それで出てきた答えが4.436×10^-14です。 nの単位をmに直したりもしました。 わからないので誰か教えてください。 最初のフェルミエネルギーが解けないのでその後のも全部できない状態なのです;;

  • 半導体のバンドギャップが小さくなる理由

    禁制帯などといったバンドギャップが現れる原理は、固体中は原子が周期的に並び周期ポテンシャルを持つからである。また、原子同士が接近して電子の波動関数が重なるので、電子の軌道が分裂して電子が存在できる状態に制限が生まれた事による。 理屈が間違っていると元も子も無いのでまず確認してもらいたいのですが、このように私は解釈しているのですが合っていますか?もし上の内容が正しいとすれば、シリコン等の元素がバンドギャップの幅(エネルギーギャップE_g)が狭くなる理由は一体どこから来るのでしょうか。参考書には半導体は絶縁体よりバンド幅が狭いというだけで狭くなる理由が書いてないので気になりました。 どなたかご教授してもらえないでしょうか。