フォトレジストの基板密着性について
- 実験で、熱酸化膜付きのSi基板やガラスにポジ型のフォトレジストをスピンコート塗布～パターニングしてエッチング処理を行っています。
- 熱酸化膜とフォトレジストの密着性は良いのですが、ガラス(おそらく石英)とフォトレジストの密着性が悪いです。
- どちらもSiO2だと思うのですが、なぜ密着性に差が出るのかご教授いただけませんか。
- 締切済み
フォトレジストの基板密着性について
実験で、熱酸化膜付きのSi基板やガラスにポジ型のフォトレジストをスピンコート塗布～パターニングしてエッチング処理を行っています。 熱酸化膜とフォトレジストの密着性は良いのですが、 ガラス(おそらく石英)とフォトレジストの密着性が悪いです。 どちらもSiO2だと思うのですが、なぜ密着性に差が出るのかご教授いただけませんか。
- mokata
- お礼率60% (3/5)
- その他（電子・半導体・化学）
- 回答数1
- ありがとう数0
- みんなの回答 （1）
- 専門家の回答
みんなの回答
- akira0723
- ベストアンサー率45% (10/22)
内容が良く把握できませんので当たるも八卦ですのでご了承ください。 密着と言われている現象は界面の「濡れ」のことでしょうか？ 両方の表現がガラス（SiO2）だとすると期待できる密着はガラス表面のSiOH（シラノール）同士の（会合性：SiOｰHｰOSI）濡れが期待できます。 しかし、ガラス表面には多くの水分子が付着しており、表面状態が大げさに言うと刻々とバラついていることに起因しているのではないでしょうか？ 用途は違いますが一般にシランカップリング剤と呼ばれているシリコン化合物でガラスやシリカの表面を処理すると非常に良好な接着が得られる事例は一般によく知られています。 間とハズレご容赦！！
関連するQ&A
- 蒸着前の基板の洗浄方法
ガラス基板にアルミを蒸着しフォトレジストを塗布し、現像、エッチングをしたいと考えています。 一通り作業を行ったのですが、現像の際にアルミの膜が基板から剥れてしまいました。 これは蒸着前の基板の洗浄が問題ではないかと考えています。 どなたかガラス基板の良い洗浄方法をお教えください。 現在私はアセトン、エタノール、純水(超音波洗浄)で洗浄しております。 よろしくお願いします。
- 締切済み
- メッキ
- KOHを用いたSiエッチングについて
KOHにおける、シリコン（Si）と熱酸化膜（SiO2）のエッチング選択比は、100：1というのを聞きました。 たとえばSiのエッチングレートは上げて、逆にSiO2のエッチングレートは下げたい（選択比を変えたい）場合、有効な手法はありますか？ KOHの濃度、温度を変えるとよいのでしょうか？ ご回答、宜しくお願い致します。
- 締切済み
- 化学
- 酸化炉の石英管の汚れはデバイスの特性に大きく影響するのでしょうか？
大学でSiのMOSFET関連の研究をしている者です． 作製の過程で，ゲート酸化膜を形成するために，酸化炉を用いてSiを熱酸化させ，SiO2を形成させています． できた素子の特性を測ってみると，エンハンスメント形を作製しているのにも関わらず，デプレッション形のような特性となり，ゲート電圧が0Vでもすでにドレイン電流がたくさん流れてしまっています． つい最近になってこのようなことになったのですが，それまでは理想通りのものができていました． ゲート酸化膜に何らかの問題があるならば，その原因は酸化炉の石英管の汚れが最も影響していると思われるのですが，いかがでしょう？ この点に関して詳しい方がおられましたら，是非アドバイスをお願いします．
- ベストアンサー
- 物理学
- SiO2について教えて下さい。
シリコンの表面にできる酸化膜のSiO2と石英などのSiO2は その構造は同じなのでしょうか？ SiO2は非晶質だと聞いたので、全く同じものだと考えて良いのでしょうか？
- ベストアンサー
- 科学
- 基板の表面張力に関して
シリコン基板（自然酸化膜が残った状態）とガラス基板の表面張力の値をご存じ方いらっしゃいますか？それらの値が載っているHPでも結構です。宜しくお願い致します。
- ベストアンサー
- 物理学
- 銅箔から小片の抜き出し
今回、私は銅箔のロールを購入しました。それを１１０mm×１１０mmにカットしたものを用い、それから１０mm×１００mmの片をエッチングにより５～８本抜き出したいと考えました。しかし、レジスト塗布がうまくいかなく、先に進めません。片に応力を負荷させたくなかったためエッチングをしました。 何かいい方法はないでしょうか？別の方法でもいいので、知識を教えてください。ちなみに、厚さは３０ミクロンです。 レジスト塗布は、スプレー、スピンでやりました。
- ベストアンサー
- 金属
- チッ化アルミ基板の真空成膜前の処理方法
チッ化アルミ基板に真空装置を用いてメタルを成膜しています。成膜前に有機溶剤などで洗浄を行い、最後に純水による水洗を行っております。チッ化アルミと水は容易に反応することが知られておりますが、どうしても純水洗浄を行うプロセスは外せません。その後スピン乾燥を行っておりますが、その際チッ化アルミ基板への水滴残りが気になります。現に成膜後の膜密着評価において、ところどころチッ化アルミ基板の面からの膜剥離を確認しております（剥離する頻度が少ないのですが、ゼロではないところで困っています）。この膜密着評価の結果（頻度が少ないが剥離が確認される）と純水洗浄やスピン乾燥との関連があるような気がしております。どなたかこの辺に詳しい方、メカニズムや基板の洗浄方法／乾燥方法、また膜が剥離しないような方法などを教えてください。
- 締切済み
- その他（表面処理技術）
- シリコン基板に酸化亜鉛膜の生成したいのですが
酸化亜鉛は基盤に対して垂直の柱状に成長させる事が可能との事なので、Si基板上にその様な膜を作りたいのです。（イメージとしては毛の短いブラシの様な） 何かノウハウはあるでしょうか。
- 締切済み
- 化学
