酸化炉の石英管の汚れはデバイスの特性に大きく影響するのでしょうか？

質問

大学でSiのMOSFET関連の研究をしている者です．
作製の過程で，ゲート酸化膜を形成するために，酸化炉を用いてSiを熱酸化させ，SiO2を形成させています．
できた素子の特性を測ってみると，エンハンスメント形を作製しているのにも関わらず，デプレッション形のような特性となり，ゲート電圧が0Vでもすでにドレイン電流がたくさん流れてしまっています．
つい最近になってこのようなことになったのですが，それまでは理想通りのものができていました．
ゲート酸化膜に何らかの問題があるならば，その原因は酸化炉の石英管の汚れが最も影響していると思われるのですが，いかがでしょう？
この点に関して詳しい方がおられましたら，是非アドバイスをお願いします．

回答No.1

i536 · ベストアンサー

数十年前にそういう仕事をしていました。

ご質問の件です。
炉芯管の汚れ以外にもいろいろ考えられますが、
多くは酸化膜中にＮａ＋イオンが入ってデプレッション型となります。
酸化膜形成後にリン処理を行ってＮａイオンをトラップさせましょう。
詳しくはＰＳＧ膜で検索されるとよいと思います。

炉芯管は、定期的に、弗酸溶液、純水で洗浄していました。
あと、ウェハースの洗浄に使う純水は大丈夫ですか？