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半導体の基板について
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- satomichi
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(1)N+はキャリア濃度が10^19/cm^3位で、N-はキャリア濃度がそれより2桁低いので10^17/cm^3位です。 GaAsの場合、N--:10^16/cm^3 N- :10^17/cm^3 N :10^18/cm^3 N+ :10^19/cm^3 N++:10^20/cm^3 と、理解してますが、一桁違ってたかな? (2)サブストレートがP型かN型かで極性はかわります。
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