半導体について

質問

こんにちは。

半導体の製造を行っている者です。

シリコンウェーハにSiO2膜とSi3N4膜がある場合で、
SiO2膜を残してSi3N4膜のみをエッチングする方法を考えています。
熱燐酸と界面活性剤を利用するやり方は、もうすでに特許がでているので、それ以外の方法を考案中です。
案としては、燐酸と同じような性質を持つ別の酸を使用するか、
あるいは、SiO2膜と結合し、表面をエッチング液(ケイフッ酸など)から保護するような薬液を探しています。
この辺に関し、知見のある方、是非、書き込みをお願いします。

回答No.1

rabbit_cat

もし、この掲示板で誰かが答えたら、その回答者も、そしてもちろん質問者も特許をとることはできませんが、いいんですか？