Cu下地めっきについて

質問

半導体用の部品などで、Agめっきを行う場合、Agめっきの密着性向上の為にNiめっき上にCuめっきを下地めっきとして行いますが、その密着性向上のメカニズムを教えて頂けないでしょうか？（Cu下地めっきを行わないと３６０℃５分の耐熱試験でフクレが発生します。）また、参考となる文献やホームページ等有りましたら御教授頂ければ幸いです。

回答No.1

noname#230359

文献「表面技術 Vol45-No.1-1994」で発表されている内容があります。
以下、抜粋↓

　Ag/Ni層間の密着性低下は、過熱によってAgめっき表面から内部に浸透する酸素が、Ni面を酸化することより発生すると考えられる。
　Cuめっき層は、Agめっき表面から内部に透過する酸素の捕捉剤として作用する（Niめっきの酸化抑制）。またCuは、加熱によりNiと拡散するため、両層間の接着剤的な働きも持つ。

以上です。
　私も以前この内容で悩みました。参考になれば幸いです。