トランジスタのエミッタ接地

質問

トランジスタ回路のエミッタ接地において、ベース電流Ibを動作点におけるベース電流Iｂｑは入力電圧
Vに伴い発生するΔIｂを用いてIb＝（Iｂｑ＋ΔIｂ）で表わせると思うのですが、VとΔIｂの関係式が分からなく困っています。よろしくお願いします。

回答No.4

xpopo · ベストアンサー

回答NO.２です。

等価回路を添付したつもりでしたが、うまく添付されなかったようなので、
再度添付いたします。

回答No.3

xpopo

回答NO。２です。

等価回路を添付します。

回答No.2

xpopo

今晩は、

　まず、動作点におけるコレクタ電流をＩｃｑ、電流増幅率をβ（＝Ｉｃ／Ｉｂ）、
温度電圧ＶＴ（＝ｋＴ／ｑ（ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、ｑ：電子素量））
とします。
　等価回路を添付します。等価回路で、ベース－エミッタ間の抵抗をｒπ（Ｒ_pai）
で表してます。コレクタ電流Icは

　Ic　＝　V*ｇｍ　　　（１）

で与えられます。ｇｍは　

　ｇｍ　＝　ｄIc／ｄVBE　　　（２）

で与えられます。
ここで　Is　を逆方向飽和電流として　Ic　は

　Ic　＝　Is＊exp（VBE／VT)　　　（３）

で表せますので　ｇｍ　は

　ｇｍ　＝　（ｄ／ｄVBE）*Is*exp（VBE／VT）＝（Is／VT）*exp（VBE／VT）＝Ic／VT　　　（４）

と求められます。

ここで、電流増幅率βは

　β　＝　Ic／Ib　→　Ｉｂ　＝　Ｉｃ／β　　　（５）

また、ｒπは

　ｒπ　＝　Ｖ／Ｉｂ　　　（６）

ですから、

　ｒπ　＝　（Ｖ／Ｉｃ）＊β　　　（７）

式（７）に式（１）を代入して

　ｒπ　＝　β／ｇｍ　　　（８）

となります。

結果として、　Ｖ／Ｉｂ　は　入力抵抗であり　ｒπ　となります。
例として、　動作点のコレクタ電流Icq＝１ｍA、β＝100の場合、ｒπは

　ｇｍ　＝　Iｃ／VT　＝　１ｍA／２６ｍV　＝　０．０３８（A／V）　（Ta＝２５℃の時）

　よって、　ｒπ　＝　１００／０．０３８　＝　２．６ｋΩ

こんな風に計算して求めます。

回答No.1

noname2011430

たぶん多くの人が答えられると思うのですが、問題に不明なところが多すぎて答えにくいのではないかと思います。
私もわかりそうなんですが、何を言っているのかわからないです。
以下は想像になりますが、まず、一番わからないのが、

＞入力電圧Vに伴い発生するΔIｂを用いて

この入力電圧って何でしょう？
普通はVｂ若しくはVbeではないかと思われます。
すると、ベース電流と同様に表せば、
Vb=(Vbq+ΔVbe)
こんな感じになるんじゃないですか？
そうすると、ｈパラメータを使って、
hie=ΔVbe/ΔIb
ΔIb=ΔVbe/hie
とかけると思いますが、最初にも書いたように想像によるところなので、回答になっているかどうか不明です。

補足

よくエミッタ接地で入力電圧と出力電圧が逆位相になる説明で、
「入力電圧が上昇するとベース電流が増加し」という表現があり
これを式で説明したいのですがさっぱり分からず・・・
VはBとGNDに接続した交流電圧でおそらくV=Vbになると思うのですが・・・