• ベストアンサー

FETのゲートソース間電圧の波形で

FETを方形波でスイッチングする際にゲートソース間電圧の波形を観測して、綺麗な方形波が確認できたら理想的な状態でスイッチングロスなどもなくスイッチングしているということなのでしょうか?

  • kiwix
  • お礼率41% (42/101)

質問者が選んだベストアンサー

  • ベストアンサー
回答No.3

入力波形が綺麗だから理想スイッチングとは限りません 出力つまりドレインーソースが動作してないと(断線とか劣化とか)綺麗になる事はあります ドレインからゲートへの帰還がある為に通常はゲート波形の乱れが起こります 負荷が軽いと帰還量も小さいので乱れも小さいです 特に立ち上がり立下り時 じゃあ 余裕のある設計すれば綺麗かと思いますが 余裕あるFETは入力容量も大きくドライブ回路も余裕が必要になり高価になります 無駄の少ない素子選びが大事となります スイッチングロスは主に出力側つまりドレインーソースの特性で決まります。

kiwix
質問者

お礼

ゲートソース間の波形は綺麗だったのですが、波形が乱れていた理由がつかめとても参考になりました。 参考にさせていただきます。このたびはどうもありがとうございました。

その他の回答 (2)

  • tadys
  • ベストアンサー率40% (856/2135)
回答No.2

ゲート電圧波形が理想的だとしてもスイッチングロスがゼロになるわけでは有りません。 ドレイン電流がゼロの時にスイッチすればスイッチングロスを極小に出来ます。 この辺では色々特許が出ています。 http://www.patentjp.com/07/W/W101110/DA10001.html http://www.patentjp.com/06/W/W100024/DA10001.html

kiwix
質問者

お礼

ありがとうございます。 なまった方形波とかだとロスが生じると訊いたことがあるのでどうかな、と思ったんですが特許のページも自分には知らないことだったので参考になりました。

  • foobar
  • ベストアンサー率44% (1423/3185)
回答No.1

スイッチングの状況を確認するなら、ドレイン-ソース間の電圧と、ドレイン電流を観測する必要がありそうに思います。

kiwix
質問者

お礼

ありがとうございます。 ゲートソース間電圧の波形が綺麗ならきちんとスイッチングができているのかな、と思ったのですがゲートソース間電圧の波形を観測しただけではわからないものでしょうか? もしよろしければ教えていただけると嬉しいです。

関連するQ&A

  • ハイサイドFETのゲートON電圧について

    電源電圧24vのフルNch mosfetモータードライバにおいて、nchmosfetのゲートON電圧が10Vとした時、ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか? その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか?また、そのようなFETは存在するのでしょうか? もしくはハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか?

  • FETの逆みたいなのあります?

    FETのGateに電圧をかけるとドレインとソースが切り離されて、 Gateに電圧をかけないとドレインとソースが切り離されないFETってあります?。 最悪NOT回路を入れることになりそうなんで。 教えていただきたいです

  • FET、周波数を高くすると波形の振幅が縮む

    MOSFETのハーフブリッジ回路を組んで波形を見てみたのですが、周波数が20kHz周辺などの低めの周波数のときはちゃんと方形波が確認できたんですが、周波数を高くすると周波数の高さに比例して方形波が縮んでいってしまいます。 以前IGBTを使ってやってみたときもこのような状態になってしまったんですが、これはいったい何が原因なのでしょうか? なるFETとならないFETがあるのでFETの特性に問題があるのかと思うんですが、仮にそうだとしても何の特性が問題なのかもわからずほとほと困ってます。 どなたか原因を教えてください。よろしくおねがいします。

  • FETプッシュプル 波形が乱れる

    100kHzの矩形波を1Aから3A程度出力したかったので、 100kHzのタイマ出力をFETプッシュプルを使って増幅して出力しました。 無負荷の状態ではFETプッシュプルから矩形波が出せたのですが、 抵抗、コイル、コンデンサをつないだ時、波形が乱れてしまいました。 どうしてなのでしょうか? また解決策を教えてください。 ちなみにFETのプッシュプルはタイマの出力をNチャンネルとPチャンネルのGATE、 互いのドレインに+5Vと-5V(10Vと0V)、互いのソースを出力としています。

  • FETの破壊電圧について

    たびたび初心者な質問で申し訳ありません。 今、仕事で携わっているFETが2SK2956なんですが、電気的特性に「ゲート・ソース破壊電圧」という項目があります。 この値がプラスマイナス20Vなんですが、この値以上の電圧をかけると素子が壊れる、と解釈してよろしいのでしょうか? それとも別の解釈があるのでしょうか? よろしくお願いします。

  • MOS-FET出力スルーレート

    いつもお世話になります。 MOS-FETのゲートに抵抗を付けて、ON/OFFした場合、その外付ゲート抵抗とゲート容量によって、出力(ドレイン)電圧のスルーレートが遅れると聞きましたが、その場合のスルーレートの計算方法をご教示頂けます様、お願いします。 (波形観測すると、ゲート電圧が一定になった時に、ドレインが立上り(又は立下り)になっており、ゲートとドレインの関係が分かりません。) 以上、宜しくお願いします。

  • FETの駆動電圧

    回路設計初心者なので、詳しい方教えてください。 FETのデータシートで、駆動電圧が、2.5Vのと4Vの物がありますが、良くわかりません。 FETのゲートを動かす電圧と考えてよいのでしょうか? 社内の昔作った回路図では、3.3VのマイコンでFETを動かしている物があるのですが、 そのFETは2.5Vの駆動電圧の物を使ってました。 今回、5V動作のマイコンでFETを駆動したいのですが、 5Vの場合は、4V駆動のFETを使えばよいのでしょうか? また、2.5Vの電圧の物でも、5Vのマイコンで動作させることが出来るのでしょうか? ポイントを教えていただけると嬉しいです。

  • FET 2SK30Aのスイッチング動作について

    ソースをマイナスに接続。 ゲートとマイナス間に1MΩと1μの電解を接続。 ドレインとプラス3V(電池の電源)間に20Kを接続。 この状態でゲートとプラス間に1K~1Mを接続しても、ゲートとマイナス間に1K~1Mを接続してもドレインの電圧は0Vのままでスイッチング動作をしてくれません。 ゲートをオープンにしてをピンセット等でチョンチョンするとドレインの電圧が3Vになったり1.5Vになったり0Vになったりします。 ちなみにFETは破壊されていません。 ゲート電圧でスイッチング動作をさせる方法を教えてください。

  • MOS-FETのゲート抵抗について

    趣味で乾電池を電源としたAC100Vを作ってみようと思っており、この昇圧回路にMOS-FET使おうと考えております。 MOS-FETのゲート抵抗と、ゲート-ソース間へ入れる抵抗はどのように計算したら良いのでしょうか?

  • FETの消費電力について

    FETとはゲート電圧をかけることにより電圧を誘起させ、ソース・ドレイン間に電流を流すデバイスですよね!? いくつか質問があるのですが ・FETの消費電力といったらドレイン電力、ソース電力、ゲート電力の合計ということなのでしょうか? ・ゲート電力とは存在するのでしょうか? オームの法則からV=I×Rですが、ゲートには電流は流れません。そのためI=0となり、ゲート電力は0になるのですか? 電流が流れないのに、電圧だけかけるというのはどういうことなのでしょうか? レベルの低い質問で申し訳ないのですが、是非教えて下さい。