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FET 2SK30Aのスイッチング動作について

ソースをマイナスに接続。 ゲートとマイナス間に1MΩと1μの電解を接続。 ドレインとプラス3V(電池の電源)間に20Kを接続。 この状態でゲートとプラス間に1K~1Mを接続しても、ゲートとマイナス間に1K~1Mを接続してもドレインの電圧は0Vのままでスイッチング動作をしてくれません。 ゲートをオープンにしてをピンセット等でチョンチョンするとドレインの電圧が3Vになったり1.5Vになったり0Vになったりします。 ちなみにFETは破壊されていません。 ゲート電圧でスイッチング動作をさせる方法を教えてください。

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  • soramist
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回答No.1

FETには3種類の特性のものがあることをご存知ですか? http://www.nahitech.com/nahitafu/mame/mame1/fet.html 2SK30Aは「ジャンクション型のFET」(最近では大変珍しい)ですので、 ドレン電流カットオフをするためには、ゲートをピンチオフまでの逆バイアスを かけなければなりません。(添付資料[N-JFET]の図参照) スイッチングが目的なら、最近のMOS FETを使われたらいかがですか? 最近のMOS FETは[エンハンスメント型]がほとんどですから、ゼロバイアアスで カットオフできます。(使用に際しては特性要確認のこと) >ゲートをオープンにしてをピンセット等でチョンチョンするとドレインの電圧が 3Vになったり1.5Vになったり0Vになったりします。 ゲートの絶縁抵抗は非常に高いので、周囲からの誘電電圧によって(気付かないうちに) バイアスが掛っているのです。(逆バイアスを含む)

7777777v
質問者

お礼

後は自力で解決します。 ありがとうございました。

7777777v
質問者

補足

大変参考となる情報ありがとうございました。 スイッチング用のFETの選択が誤っていたようです。 0Vで完全OFFとなるエンハンスメントのFETを探します。 また、電源プラス側をスイッチするにはPMOS、マイナス側をスイッチするにはNMOSと考えていいですか? 市販の代表的な型番ご存知でしたら教えてください。

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