実験の授業での課題（光エレクトロニクス）
- 光エレクトロニクスの実験授業での課題について
- センサブロック回転角θに対する受光電力Wを求め、グラフに示す目的について
- 光ファイバの開口数（NA）の求め方と、受光面の大小によってNAが変わる理由についての質問
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実験の授業での課題（光エレクトロニクス）なのですが、
実験の授業での課題（光エレクトロニクス）なのですが、 左から、LDとLEDの光源ブロック、コネクタアダプタ、光ファイバ（グレーデットインデックス（GI)とステップインデックス（SI）、ファイバ保持ブロック、１０ｃｍくらいの空間、センサブロック（このセンサはファイバ保持ブロックに対してθ方向に動かせます） のように実験装置を置き、センサブロックの受光面をピンホールキャップというものをつけるのとつけないので、2種類の受光面（1mm×1mmと直径1mm）で実験をしました。 実験の目的はグレーデットインデックスファイバとステップインデックスファイバのNA特性を学ぶ というもので、センサブロックの受光面がそれぞれ(i)直接(10mm×10mm)、(ii)ピンホールキャップ(直径1mm)の場合に、センサブロック回転角θに対する受光電力Wを求め、グラフに示す。そしてNA（光ファイバの開口数）を求め、受光面の大小（10mm×10mm,直径1mm）でNAが変わるのはなぜか。これらのNAは何によって決定されているかを考察せよ。とあって、光ファイバに関する本などを読んでみたのですが、NAの求め方からわかりません（グラフからでるのでしょうか・・）。考察に関してもさっぱりわかりません。どなたかおしえてください。
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下記URLを見れば、自ずと解るのではないですか？ http://www.olympus.co.jp/jp/insg/ind-micro/terms/numerical_aperture.cfm # これはレンズの説明ですが、レンズは無視し、「物体面」をファイバに置き換えます。 ※「考察」は自分で考えるもの。 レポートは試験と違って正解を追うものではなく、実験や観察をした結果に、「考察」を加えるもの。 多分大学に入ったばかりと思いますが、大学は高校までとは違います。 先生から言われることを憶えるばかりでなく、自分の頭で考える習慣をつけましょう。
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