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結晶成長領域
今ＤＣマグネトロンスパッタを用いてTiO2薄膜の作製に取り組んでおります。 高配向の薄膜をガラス基板上に作りたいとおもっております。 そこで質問があります。 結晶は大きなところ(基板全面)では高配向結晶の作製は困難であるが、 微小な領域(メッシュをかけるなど)でなら高配向になりやすいということです。 イメージでは納得できるのですが、どなたか科学的に説明できる 方はいらっしゃいますでしょうか。お願いいたします。
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ガラス基板上に配向、難しい課題ですね。 イメージとしては、単結晶作製の際の「種」（核）を考えてもらったらいいのでは？容器にエッジをつけたり、種結晶を置いたりすると、そこを成長のきっかけとして規則正しく成長するわけですよね？ エピ成長では基板の結晶性に引きずられますが、ガラス基板だとあちこちに偶然できた「種」を中心にそれぞれ成長したものが寄せ集まったものになりますから、配向させには一工夫要りそうですね。
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- 化学
お礼
回答ありがとうございます。 アモルファス基板に成長させるのは難しく苦労しています。 やはり「種」は重要な要素みたいですね。 これからもいろいろ勉強していきたいです。 ありがとうございました。