半導体の標準酸化還元電位

質問

Siなどを何かしらの電解液たとえば標準状態のHF水溶液に漬かした時の標準酸化還元電位が-1.37 Vだと調べました．しかしながら疑問がわいたのですが，どうやって測定したのでしょうか？というか，半導体側のどの位置をその電位としたのでしょうか？知る限り，半導体側には空間電荷層が曲がるように入っていて，最表面（電解液と接している部分）と内部の曲がりが終わった部分（フェルミ準位？）の二つの候補が挙げられそうですが，どちらでしょうか？

ちなみに，Siを測定装置に繋げて，参照極との電位差を測れば，安定した電位は得られますが，これが標準酸化還元電位なのでしょうか？この場合は，上で記述した最表面とフェルミ準位のどちらを測定していることになるのでしょうか？？？非常に悩んでおります．どなたかお教え下さいますと助かります．(-_-;)

回答No.2

airJ

＃１です。私のほうがご質問を誤解していました。
CB-VBの幅はご指摘のとおりバンドギャップです。
これをどうやって求め、空間電荷層はどう考慮されているかという質問だと勘違いしておりました（Siのバンドギャップ1.1eVを-1.37Vと....。)

ご質問の件に関しては、申し訳ありませんが、正確なことはわかりかねます。
参考までに、
http://www.d7.dion.ne.jp/~shinri/note.html#C4

回答No.1

airJ

半導体で通常示されている値は、フラットバンドポテンシャルです。（溶液側、粒子内部の空間電化層の曲がりを除いた平らな部分のC.BとV.Bのエネルギー差）

参考URL：

http://www.hokuto-denko.co.jp/HZ-5000/HZ-5000.htm

補足

誤解があったらすみません．私が知りたいのは，ポテンシオスタットに繋いだ時にポテンシオスタットに表示される電位が何を表しているかです．半導体の裏面からコンタクトを撮ることになるので，空間電荷層の曲がりが終わった平らな部分の電位ではないかと考えています．フラットバンドポテンシャルは曲がりをなくす方向に電位を制御した際の界面＝平らな部分となったときの電位と理解しています．また，CBとVBのエネルギー差はバンドギャップと思いますが，いかがでしょうか？