MOSFETの記号

質問

大学のレポートで、
「ＭＯＳＦＥＴの図記号において、同じｎ形のＦＥＴにおいても、サブストレートの矢印が内側に向いているものと、外側に向いている２種類の書き方がある。もし使用しようと思ったときに、ｎ形なのに矢印が外向きだからｐ形と間違えると困るので、どうして２種類の書き方があるのか、何を基準として矢印が内向きと外向きのｎ形があるのか調べてきなさい」と言われました。

大学の図書館に行ってみて、ｎ形で調べてみたのですが、どれもサブストレートが内側に向いているものばかりで、外側に向いているものが見つかりませんでした。ご存知の方は教えてくださいよろしくお願いします。

回答No.2

Teleskope

>>　nMOSの回路シンボルで”サブストレートの”矢印が内向きと外向きがある。間違えると困る、どうして２種類の書き方があるのか調べてきなさい <<

　このまんま答を与えてしまうと丸投げ判定で削除になってしまうと思われますので、少し教えてください。”…”は本当にそうでしたか？よく思い出してみてください。

お礼

お二方、いろいろありがとうございました。違う先生のところに行って聞いてみたところ、簡略化して書く記号のことじゃないのか？ということで、それについて調べてみたところ、サブストレートを書かずにソースのところに矢印を持ってきている記号を見つけ、それについて書きました。
違いは、ｎチャネルの場合、サブストレートはチェネルとｐ形の部分を順方向にに接続したと考えるときに流れる電流の向きで、記号で書くと内側
簡略化して書くと、直流電流Idの向きでソース側は外向きになるということでした。
質問が曖昧な表現になってしまい、ご迷惑をおかけしましたが、電子回路技術者になるために勉強しているので、また分からないことがあればよろしくお願いします

回答No.1

oyaoya65

n型MOSFETはサブストレートの接続矢印は内向きになります。
p型MOSFETはサブストレートの接続矢印は外向きになります。
C-MOS　ICのNOT素子のはp型MOSFET(上側)とn型MOSFET（下側）が両方使われますが、上側のp型MOSFETのサブストレートは外向き矢印になります。

次のURLの6/8ページをご覧ください。
サブストレートの矢印の向きとFET内部のp型n型の関係が分かると思います。矢印はpとnの順方向の向きを表しており、逆バイアスを掛けて使わないとMOSFETとして機能しないということですね。

http://www.ced.is.utsunomiya-u.ac.jp/~itohst/sw1-01.pdf
ただし、p型MOSFETのソースとドレインが逆になっています（誤植）ので注意ください。上側がソース、下側がドレインでC-MOSでは出力端子はp型とn型のドレイン同士を接続して出力端子となります。
詳しくは次のURLのCMOSの接続が正しいです。
http://www.nanoelectronics.jp/kaitai/transistor/5.htm

n型MOSFETのソースがアースに接続され、ゲートとドレインはそれより高い電位を加えて使います。p型MOSFETのソースは回路の最も高い電位の＋電源に接続され、ゲートとドレインはソースより低い電位を加えて使います。

MOS－ICに使われるFETはエンハンスメント型でn型MOSFETではサブストレートは回路の最も低い電位のソースに接続するだけで逆バイアス状態になります。
一方p型MOSFETではサブストレートは回路の最も高い電位のソースに接続するだけで逆バイアス状態になります。

参考URL：

http://oshiete1.goo.ne.jp/kotaeru.php3?q=1481962