• 締切済み

TDDB測定での破壊時のQについて

現在、半導体測定についての勉強をしていて、TDDB測定の破壊時のQ(Qbd)について分からないことがでてきましたので、質問させていただきます。 電荷量QはQ=itで求めるとすると、tは総ストレス印加時間だと思うのですが、iがどの時点でのiかがわかりません。 iには、一定時間ストレスをかけた後に、試験電圧を流して取得した電流値を用いればよいのでしょうか?

みんなの回答

  • Drunk
  • ベストアンサー率52% (37/71)
回答No.1

定電流であれば、Q=itですが、 定電圧であれば、積分 Q=∫idt になります。

ingen22
質問者

お礼

ありがとうございました。 お礼が送れて申し訳ありません。

全文を見る
すると、全ての回答が全文表示されます。

関連するQ&A

  • GaAsが破壊される電流密度は?

    はじめまして. 現在,半導体のGaAsに電圧を印加して特性を測定しているのですが, GaAsの場合,電流密度はいくらで,破壊されてしまうのでしょうか? いろいろと調べてみたのですが,わかりませんでした. どなたかわかるかたがいましたら,教えてください. よろしくお願い致します.

  • 絶縁破壊電圧について

    ギャップを一定として電圧を印加します。最初から絶縁破壊に十分な電圧を印加し、さらに印加電圧を上げることで立ち上がりを早くすると、絶縁破壊電圧がどうなるかという実験を行いました。 結果、ある程度の印加電圧までは絶縁破壊電圧が上がったのですが、さらに上げつづけると、ある印加電圧から絶縁破壊電圧が下がってしまいました。 最初絶縁破壊電圧が上がるのは印加時間が短くなるからだと思うのですが、その後絶縁破壊電圧が下がってしまう理由が分かりません。 一応自分なりに考えてみて、放電時の電界がある程度強くなると、γ作用よりもα作用の方が支配的になるためではないかと予想しているのですが、はっきりいってまったく自信がありません。 どうかご享受のほどよろしくお願いします。

  • 絶縁抵抗測定について

    絶縁抵抗値を電源と電流計を使って測定したいと考えています。 測定対象が短絡している場合もあるので、電流制限の抵抗値を 電源の出力に対し直列に入れようと考えています。 例えば電流制限抵抗として1kΩの抵抗を直列に入れた場合、500Vの 電圧を印加して、1mAの電流が流れていれば算出した抵抗値は500kΩ、 よって絶縁抵抗値は500kΩ-1kΩで499kΩになるかと思います。 この時は電流制限抵抗1kΩでの電圧降下はそれほど気にしなくても 良いような気がします。 仮に500Vを印加して100mAの電流が流れた時、算出した抵抗値は 5kΩで絶縁抵抗値は5kΩ-1kΩで4kΩになると思います。 ただこの場合、電流制限抵抗1kΩでの電圧降下が100Vになるため、 実際に絶縁抵抗を測りたい測定箇所へは400Vしか印加されていな いという事になり、400V印加時の絶縁抵抗値となるのでしょうか? それとも、電圧を印加した時点では絶縁抵抗が高く、500Vに近い 電圧が測定箇所に加わり、その結果絶縁抵抗値が下がって電流が 流れてるので、500Vを印加した時の絶縁抵抗値と考えていいので しょうか? 初歩的な質問ですが、ご教授のほどよろしくお願いいたします。 また実際の絶縁抵抗測定器には電流制限抵抗のような物は付いている のかについても、お教え下さい。

  • コイルに蓄えられるエネルギーの計算式について

    ある本に  コイルに一定時間、直流電圧を印加すると、この間に流れる電流は時間に対して1次関数的に直線で増加し、印加電圧を切った時点で流れた電流 i は   i = (V/L)×t ・・・(1) となりますが、このときコイルにはエネルギー pが   p = (1/2)L・i^2・f [W] ・・・(2) と蓄えられます。 とありましたが(2)式の(1/2)はどう導くと出てくるのでしょうか? 初心者ですのでよろしくお願いします。

  • 4探針法による測定

    4探針法による半導体の電気的測定の仕方を知っていたら教えていただきたいです。 教科書を見ても抵抗率の測定法については載っているのですがそれと同じような方法でいけるのでしょうか? 接触抵抗がなくなってより精度の高い測定ができるらしいのですが先生の話を聞いてもいまいちわかりません。 やはり探針の間隔とかは一定でないとまずいのでしょうか? 探針の間隔は抵抗率を調べるときのみ一定で電気的特性(C-V、I―V)の測定のときは電圧測定と電流測定が分かれていればいいのですか? 電気回路については初心者なので詳しく教えていただけるとありがたいです。 よろしくお願いします。

  • MOS-FETの静電破壊耐量について

    FETのゲートとソース間に静電気を印加して 破壊耐量を調べた所、ゲート側に+のサージを 印加した時の方が-サージを印加した時よりも 破壊に至る電圧値が低い結果になるんですが、 これは理論上で当然の結果なんでしょうか? 試験条件はc=200pF,R=0Ωにて印加 電圧をステップアップで繰り返し印加して破壊 に至る電圧値を記録しました。

  • 【電気破壊】半導体や電子機器は高電圧で基盤が焼かれ

    【電気破壊】半導体や電子機器は高電圧で基盤が焼かれて壊れるのですか?高電流で壊れるのですか? 電圧で壊れるのか、電流で壊れるのか教えて下さい。 壊れる原理も教えて下さい。

  • 静電容量の測定

    静電容量を、AC電圧を供給して電流を測り求めようと考えています。 1)そもそも、この方法で測定は可能でしょうか? 2)式はC=I/(E * 2πf)で正しいでしょうか?   C:静電容量   I:測定する電流   E:与える電圧   *:除算記号(multiplication sign)   f:周波数 3)電流測定ですが、測定対象がコンデンサなどの場合   交流を与えると電流も一定ではなく波が出来ると思うのですが   その場合、どのタイミングの値を使えばよいのでしょうか? 4)対象物がコンデンサではない場合は、同様の測定方法で   電流値の変化は起きないものなのでしょうか? 宜しくお願い致します。

  • 直流印加時の抵抗の時間変化を測定したい(薄膜).

    化学屋で物理測定・実験は未経験です. ある電圧を印加時(直流)の,薄膜の抵抗の時間変化を測定したいのですが それに最適な機器がどれか分からず困惑しています. 個人的に調べた感じでは ・デジタルマルチメーター→電源を別に購入し,これで電圧を印加してメーターで抵抗を                 測定することで目的は達成できる ・エレクトロメータ→電源を内蔵しているものがあり,これを手に入れるだけで目的は達成可能 ・電流/電圧発生器(ADCMT社など)→電源内蔵で抵抗も測定可能 という印象です. このような印象で合っていますでしょうか? 宜しくお願いします.

  • 高圧ケーブル直流漏れ電流測定法について

    よろしくお願いいたします。 質問(1) 直流漏れ電流測定を5000V、10000Vメガと記録計で測定して良いのでしょうか。 質問(2) (1)の場合漏れ電流は実測できませんが、絶縁抵抗と印加電圧でμA単位の電流値を計算     で答えを出して良いものでしょうか。 質問(3) メガ測定した場合、成極比の電圧印加電流を絶縁抵抗値を代入して計算して良いもの      でしょうか。 質問(4) その他に直流漏れ電流測定法について何か参考となるようなことがあればご教授くださ        い。