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ＳＥＰＰ-ＯＣＬパワーアンプのＤＣ漏れ電圧の削減法
veryyoungの回答
回答No.11に補足させて下さい。hfe極限の2SC458段ゲインとして 1 /( 2 * hib1 + 500 ) * 8.2k * 2 を提示しましたが、hfe 30 ともなりますと120kΩ、39kΩ＋91kΩ の寄与が甚大です。ゲインはこの電圧降下を含め、 1 /( 2 * hib1 + 500 + ( 120k + 39k ＋ 91k )/hfe ) * 8.2k * 2 と記述する方が明瞭でしょう。ゲインは２倍程度で、2SA562段の hfe が低く82Ωとの積が8.2kΩを目減りさせればさらにゲインは落ちます。2SA562段のベース電流 8.2kΩ 積の電圧アンバランス寄与が初段で薄まりません。 回答No.10に記しました「2SC458の左右バイアス抵抗を 1/10 の値にするとか、2SC458をダーリントン接続にして置換するとか、もっとhfeの高い種類のトランジスタに替えるとか」は初段ゲインを確保し状況を一変させると考えているのです。
noname#252332
- noname#252332
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