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多結晶シリコンのバンドギャップ
cswhiteの回答
- cswhite
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不純物をドーピングしないアモルファスシリコンでは一般的にバンドギャップは 1.6~1.8eVと大きくなります。 しかし,アモルファスシリコンでは,アクセプタ やドナー準位近傍に多くのトッラップ準位が存在するため,バンドギャップよりも 小さいエネルギーを与えても,電子・正孔が発生し,電界中であれば電流を流す ことができます。 アモルファスシリコンは,多結晶シリコンと比べてmobirityが 極端に小さくなり,キャリアの拡散長も1/10~1/100くらいになります。トラップ されてしまうのです。
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