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ショットキーダイオードの基礎特性について
- ショットキーダイオード（Si,Au）のV-I特性と整流特性について質問します。
- 抵抗と市販ダイオードの直列回路に発信器（200Hz,0～20V）を接続し、オシロスコープのCH1で抵抗側、CH2でダイオード側の波形観測をし、整流特性を観察するのですが、それぞれどの様な結果が得られるのでしょうか？
- 市販ダイオードをショットキーダイオードに代えて同じ実験を行った場合に得られる結果もお願いします。
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実験前の事前レポートですか。大変ですね。 辛口の回答が続いていますが、全て「あなたを思って」のことです。 そういう意味ではありがたい回答だと思ってください。 技術的内容ではないことで、私からもアドバイスさせてください。 ・質問の文章は読みやすく書いてください。 改行無く、1行のダラーっとした文章になっています。 これでは、読む気がなくなります。内容以前に、あなた自身の事を推してしまいます。 文章はその人の性格がとても良く現れますので、相手の事を考えた、読みやすい 文章を心がけるべきです。 ・送信する前に、文章を読み返す癖を付けてください。 誤字脱字や、読み手に理解できる言葉を使ってください。 発信器→発振器 市販ダイオード→?? ショットキーだって市販のダイオードです。 ・質問するときには、自分の考えも書いてください。 質問の基本は、 ・こんな問題がある ・○○で調べたが、このような結果だった。 ・自分ではこのように予測している この3つがあれば、回答を付ける人は「よっしゃ、一つ教えてやろうかな」 という気になります。 人は誰でも困っている人を助けてあげたいと思っています。 でもその相手に「理屈はいいから結論だけくれればいいんだよ」と言われると 答える気は無くなります。「今後何度も同じように聞かれるのか」と考えるからです。 その相手から「理解したい、向学したい」のが伝わってきたとき、 回答者は「もっと教えてあげたい」という気になります。 今回のあなたの質問内容は、最初の1つだけしか書かれておらず、 しかも、ラーメン屋で注文するかのように上から目線で質問が書かれています。 これから社会に出たとき、技術者でやって行かないとしても、先輩に教えを 乞うことは日常的に発生すると思います。そんなとき、上記のことを思い出して 相手が答えてやりたくなるような質問をして欲しいと思います。 最初はワザとそのようにしていても、そのうちそれがあなたの中で当然になって くるものです。 最後に、実験前のレポートの目的ですが、その内容を書くことの他に、 自分で調べて考えるという習慣づけの意図もあると思います。 だって実験前に答が出ているなら、実験で学ぶものがほとんどなくなります。 (だから事前の検討は違っていても平気だと思います) もし私が先生だったら、実験前レポートでは、その内容の正誤より、 どのようにして調べてたのか、どのように予想しているか、 など、本人がどれだけ脳ミソを使ったか、を評価したいと思います。 頑張ってください。 で、今日の実験の結果はどうでしたか? (笑)
学生さんのようですね。 ちょいと厳しく言いますが、「ネットで調べて解らんから教えて。」はダメです。 エンジニアとして社会に出ようと思うなら、それは通用しないと思ってください。 (当社の若手もこの口で頭が痛いのですが・・・) なぜなら、ネットサーチは「近道」だからです。 近道をしたのでは、本来通るべき道を感じることができません。 ネットサーチで、1週間かけようが、データブックを引っ繰り返して考えたり、 苦労した実験で得た知識とは、身につき方が違うからです。 それに苦労して調べている過程で、目的以外のもっと沢山の着想・知見などが得られます。 それらの着想・知見は、今は役に立たたなかったり、理解できなくても、頭の片隅に残り、 必ず将来に役立ちますよ。 実験は終わってもう、この回答を見る必要はないかもしれませんが、ちょいと言いたかったので・・・
回答(1)､(2）で言われるように自分で調べるべきと思います。私ならすぐ実験してみます。 ネットで調べれば出てきました。（本当は載せたくなかったのですが） 参考URLに示すように、簡単な回路でオッシロを用いてV-I特性を調べています。 ｹﾞﾙﾏﾆｭｰﾑ、シリコン、ショットキーでVfの違いがわかります。なぜ特性が違うのか調べてみて下さい。
ネットで調べてわからなかったらまず図書館で資料を探すべきです。 それでも調べがつかなければ指導する立場の方にヒントをもらいに行くのがスジですよ。
お礼
回答ありがとうございました。 それが筋ですが、前日にレポートに気づいて、どうにも動けなくなってしまったので、こちらで質問した次第です。
学校の実験レポートでしょうか？ そうであれば，手順に従って実験を行い，その結果をありのままに報告すればいいでしょう。実験を行わないで，答えだけを手に入れるのでは，実験を行う教育的な意味がありません。 本当の実験を行うのでなく，思考実験の報告を求めているのでしょうか？そうであれば，ご自身で考えられるところまで報告を作り，その報告についてコメントを求めればアドバイスが得られると思います。 ダイオードのＶ－Ｉ特性は，半導体メーカーがデータシートとして公表していますから，通常のシリコンダイオードとショットキーダイオードともに簡単に手に入ります。メーカーサイトにアクセスしてみてください。 Wikipediaをみれば，ショットキーダイオードの特徴が簡潔に書いてあります。 http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%82%B7%E3%83%A7%E3%83%83%E3%83%88%E3%82%AD%E3%83%BC%E3%83%90%E3%83%AA%E3%82%A2%E3%83%80%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%BC%E3%83%89 V-Iグラフを作成するときは，この特徴が判るように，グラフ縦軸横軸スケールを考慮して作成することですね。 http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Diode/1SS389_ja_datasheet_071101.pdf ショットキーダイオードの例です。上記URLの２ページめに，順方向電圧－順方向電流，逆方向電圧－逆方向電流の特性があります。対数表記のため，正負分けたグラフで表しています。真数表現すれば，１枚のグラフに表せます。対数グラフの値を読みとってリニア表記のグラフにプロットし直しましょう。 http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Diode/1SS387_ja_datasheet_071101.pdf これは，シリコンダイオードの例です。
補足
回答ありがとうございます。 実験をやる前の簡易レポートなのですが、実験をやる前に結果と考察をA4用紙１枚程度にまとめるものです。 冊子（教科書）にはヒントなしでやり方のみ書いてあって、PCでも（勿論、Wikiも）２時間近く調べ、それでも答えらしい答えはなく、全く進まなかったのでこちらで質問させていただきました。 メーカーのサイトも色々と見てみましたが、V-Iグラフは得られなかったので、良かったらそのサイトも教えて頂けないでしょうか？ よろしくお願いします。
お礼
回答ありがとうございました。 実験は今日するので、大変助かりました。 特性の違いは独自で調べてみたのですが、下記の記載に間違いや補足すべき点がありましたらアドバイスお願いします。 金属と半導体の接触部分に整流障壁（ショットバリア）が生じ、これを利用したダイオードをショットキーバリアダイオードという。ｐｎ接合ダイオードに比べ、高速動作に優れている。 その他の特性、Wiki参照・・・