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電気回路について質問です。
電気回路実験のレポートを書いていて、どうしてもわからない箇所があるので質問しました。 今、エミッタ接地トランジスタ増幅器についてのレポートを書いており、下図（信号がないときのエミッタ接地増幅器の図です）からコレクタ電流ICを求め、以下のように動作点を導出しようと考えました。 まず、青線で囲った部分ではVR2＝VF＋VReより(R2/R1+R2)Vcc=VF+RE×IEとなる。またこの式は、IEとICがほとんど同じなのでなので(R2/R1+R2)Vcc=VF+RE×ICとできる。 ここで、Vcc=１５V、R1=１００KΩ、R2=２０KΩ、RE=２KΩとし、さらにVFはベースとエミッタ間の電圧なのでVF＝０．７Vである。よってICの値が導出することができ、その値は０．９×１０^-3となった。 トランジスタの静特性のグラフに直流負荷線を引き（これはできています）、Ic＝０．９×１０^-3の部分との交点（直流負荷線のIc＝０．９×１０^-3の部分です）が動作点となる。 このように求めたのですが、直流負荷線とIc＝０．９×１０^-3の部分との交点がどのIB（ベース電流）と直流負荷線の交点にも一致しません。一致しなくてもいいんでしょうか？ 最終的にはIC、IB、VREの３波形を作図したいのですが、そのやり方もいまいちわかりません。どなたか解答よろしくお願いします。ｇ
- pondome
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- info22_
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>エミッタ接地増幅器 であればREに並列にバイアス用コンデンサCEが入っていないといけないでしょう。 その結果、VREは直流分のみで、VREの交流分=0[V](エミッタ接地)となります。
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図に示す回路を構築し、 ・SWをOFFにした時のV1a,V1b,V2,V3,VBE,VCE,VF,Vを計測。なお、R1は最も左に回した状態とする ・SWをONにした状態で、LEDが最も明るい時のV1a,V1b,V2,V3,VBE,VCE,VF,Vを計測。また、ベース電流IBとコレクタ電流Icを計測し、直流電流増幅率hFEを計算すること。 ・SWをONにした状態でR1を変化させ,LEDが消えた時のV1a,V1b,V2,V3,VBE,VCE,VF,Vを計測.またベース電流IBとコレクタ電流Icを計測すること. なお,R=50[KΩ],R2=10[KΩ],R3=470[KΩ],TR=SC1740S,V=v4とする. という実験で計測値は以下のようになりました SW|LED|V1a[V]|V1b[V]|V2[V]|V3[V]|VBE[V]|VCE[V]|VF[V]|IB[MA]|IC[mA]|hFE| ON|最も明るい|5.41|0.1|0.17|2.72|0.67|0.84|1.83|17.2|5.85|340.11| ON|消灯|1.85|3.55|0|0|0.43|3.98|1.41|0|-| ON|-|0|0|0|0|0.13|4.03|0.11|-|-|-| そこでSW1のONとOFF及びR1の値の変更によって，回路として何がどう変わったかを計測した電圧をもとに説明し，今回の実験結果が得られた理由ってどういうこと書けばいいですか？（図の回路のうちの左下の閉回路におけるそれぞれの素子にかかる電圧，トランジスタの機能に注目すること） 表がわかりにくかったら教えてください
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電子回路のバイアス点の設定の仕方などがわかりません。また、直流成分、交流成分で分けて重ね合わせの定理で解く方法もイマイチわかっていません。交流成分の見分け方がわかりません。 問題文、回路図に関しましては、画像を添付させて頂いています。質問内容は、(iii)の(b)(c)(d)の問題がわからないため、解答、導出過程をお願いいたします。 条件:ωo=1/√(C1L1) です。 回路図に関して見えにくい場合こちらで確認していただければ幸いです。 https://okwave.jp/qa/q9519791.html 問題文に関しまして、 図1に示すバイポーラトランジスタのA級増幅回路について、以下の設問に答えよ。増幅回路の電源電圧をVcc、トランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧をvce、コレクタ電流をicとする。トランジスタは活性領域にあり、vce>=0かつic>=0である。トランジスタのベース電流は無視してよい。 C1//R1//L1の回路を同調回路といい、共振各周波数をωoとする。 (iii)図1に示す回路について、トランジスタのバイアス点を設定したい。図1のように入力vi(t)およびvo(t)をとる。vi(t)=Vicos(ωot)に対して、vo(t)=Vcc-Vocos(ωot)が出力される時、以下の問に答えよ。ただし、ωoC2R2>>1, ωoC3{R3R4/(R3+R4)}>>1とする。 (a)Vccを用いて、ベース電圧Vbを求めよ。 (b)Vccを用いて、Vo(>0)が取りうる最大値Vmaxを表せ。 (c)Vo=VmaxとなるようにVceおよび、Icを設定した。このとき、(Vce,Ic)とトランジスタのバイアス点(Vceq,Icq)とする。Vccを用いて(Vceq,Icq)を表せ。 ＊直流成分では、Vce=Vcc-R2Icの関係を満たしていると思います。 (d)ベース・エミッタ間直流電圧をVbeとする。Vbe=0.6V、Vcc=12Vのときバイアス点(Vceq,Icq)を実現するための抵抗・比R3:R4を求めよ。 現在、非常に困っています。お忙しいとは思いますが、どうか宜しくお願いいたします。 問題文、回路図に関して、見えにくい場合上記のURLもしくは下記のURLを利用していただけると幸いです。 https://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q11193428861
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下の回路に関して質問です。 (1) ＿＿＿＿＿＿ ｜ ｜ ｜ ｜↓I6 ｜ ｜ ｜ R1 ｜ ｜ ｜ ｜←Vd ｜ ｜ ｜ ｜＿＿＿＿ ｜ ｜ ｜↓I5 ＿＿＿＿＿ ｜ LED1 R5 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ R4 ｜ V12 ｜￣￣￣￣ ｜ ｜ ｜ ｜←Va ｜ ｜ ｜ ｜ Vb Vc ｜ ｜ ｜←GN ｜ ←Ib ↓ ↓ ｜ ｜ ｜ Q1――――――――R2―――――｜ V5 ｜ ｜ ｜ ←I4 ｜ ｜ ｜――R3―― ｜←GN ｜ ｜ ｜ ｜ I1↓｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣ ←I2 I3→ (2) ＿＿＿＿＿＿ ｜ ｜ ｜ ｜↓I6 ｜ ｜ ｜ R1 ｜ ｜ ｜ ｜←Vd ｜ ｜ ｜ ｜＿＿＿＿ ｜ ｜ ｜↓I5 ＿＿＿＿＿ ｜ LED1 R5 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ R4 ｜ V12 ｜￣￣￣￣ ｜ ｜ ｜ ｜←Va ｜ ｜ ｜ ｜ Vb Vc ｜ ｜ ｜←GN ｜ ←Ib ↓ ↓ ｜ ｜ ｜ Q1――――――――R2―――――｜ V5 ｜ ｜ ｜ ←I4 ｜ ｜ ｜ ｜――R3―― ｜ ｜←GN ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ I1↓｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣ ←I2 I3→ (1)、(2)の時のVa,Vb,Vc,Vd,Ib,I1,I2,I3,I4,I5,I6の求め方を教えて下さい。 勉強したいので、計算方法も教えてほしいです。 Vは電圧、Iは電流です。電圧は図のGNに対する電圧値で教えて下さい。 どうかよろしくお願いします。 細かい条件は下に書きます。 <条件> V12:DC12V(電池等の定電圧電源で内部抵抗は0Ωです） V5:DC5V(電池等の定電圧電源で内部抵抗は0Ωです） R1:1KΩ R2:2KΩ R3:3KΩ R4:4KΩ R5:5KΩ LED1:Vf=2V Q1:Vce(sat)=0.3V←NPN接合のトランジスタ Vbe=0.6V hfe=200倍 コレクタ遮断電流=0A Vb側がベース、Va側がコレクタです。
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図に示す回路を構築し、 ・SWをOFFにした時のV1a,V1b,V2,V3,VBE,VCE,VF,Vを計測。 なお、R1は最も左に回した状態とする ・SWをONにした状態で、LEDが最も明るい時のV1a,V1b,V2,V3,VBE,VCE,VF,Vを計測。また、ベース電流IBとコレクタ電流Icを計測し、直流電流増幅率hFEを計算すること。 ・SWをONにした状態でR1を変化させ,LEDが消えた時のV1a,V1b,V2,V3,VBE,VCE,VF,Vを計測.またベース電流IBとコレクタ電流Icを計測すること. なお,R=50[KΩ],R2=10[KΩ],R3=470[Ω],TR=SC1740S,V=v4とする. という実験で計測値は以下のようになりました SWがONでLEDが最も明るいとき |V1a[V]5.41|V1b[V]=0.1||V2[V]=|0.17|V3[V]=2.72|VBE[V]=0.67| |VCE[V]=0.84|VF[V]=1.83|IB[MA]=17.2|IC[mA]=5.85|hFE=340.11| SWがONでLEDが消灯 |V1a[V]1.85|V1b[V]=3.55||V2[V]=|0|V3[V]=0|VBE[V]=0.43| |VCE[V]=3.98|VF[V]=1.41|IB[MA]=0|IC[mA]=0|hFE=- | SWがOFF |V1a[V]=0|V1b[V]=0||V2[V]=0|V3[V]=0|VBE[V]=0.13| |VCE[V]=4.03|VF[V]=0.11|IB[MA]=-|IC[mA]=- |hFE=- | そこでSW1のONとOFF及びR1の値の変更によって，回路として何がどう変わったかを計測した電圧をもとに説明し，今回の実験結果が得られた理由ってどういうことが考えられますか？ 図の回路のうちの左下の閉回路におけるそれぞれの素子にかかる電圧，トランジスタの機能に注目する 表がわかりにくかったら教えてください。
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お礼
解答ありがとうございます。それについては、知らなかったのでもう一度考えてみます。