シリコンウェハの結晶方位

質問

シリコン基板が（100）面でカットしてあるシリコンウェハがあるとします。

(1)の方向のように、オリフラ方向からシリコンウェハの側面を見た場合、
結晶面（ミラー指数）はどのように表されるでしょうか？

同様に、オリフラ以外の方向（(2)～(8)からシリコンウェハの側面を見た場合、
結晶面（ミラー指数）はどのように表されるでしょうか？

また、シリコンウェハの側面から見たとき、
シリコン原子が最も多く見えるミラー指数はどのように表されるでしょうか？

いびつなAAで申し訳ありません。
また、質問も多く、申し訳ありません。一部の回答でも歓迎です。
回答の根拠となるwebページを紹介されても結構です。

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回答No.3

shintaro-2

>シリコンウェハの表面から見た方位しか書いていないようですが・・・。

下にある110だと思ったのですが
そうでないにしても、１００と１１０があればオリフラの面指数もでるのでは？
最近計算してないので出し方すら忘れました　^_^;

回答No.2

wata717

私は老人でオリフラという日本語がわかりません。図もよくわかりません。RHEEDの回折パターンでしょうか。
どちらにしても結晶方位はX線回折の本に記載のステレオ投影で完全に記述されます。

回答No.1

shintaro-2

wikipediaに方位が記載されています。

http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%82%B7%E3%83%AA%E3%82%B3%E3%83%B3%E3%82%A6%E3%82%A7%E3%83%8F%E3%83%BC

補足

シリコンウェハの表面から見た方位しか書いていないようですが・・・。
どこに側面から見た方位が書いていますか？
（結晶は専門外でよくわかりません。）