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電子物性工学の問題なのですが

電子物性工学の問題なのですが 光通信用長波長半田応対レーザーの1つに、InP基板上にInGaAsを薄膜成長させたInGaAs/InP系デバイスがある。InAs,GaAsは一般にジンクブレンド構造であり、その格子定数および、禁制帯幅は、InAs:6.0583[10^-10m]、0.360eV、GaAs:5065325[10^-10m]、1.424eV、InP:5.8687[10^-10m]、1.344eVである、次の問いに答えよ。 (1)InAsの単位格子中にIn原子は何個含まれているか? この問題の解き方を教えていただけないでしょうか?

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回答No.1

ジンクブレンド構造だからInは4個。

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