- 締切済み
寄生抵抗、寄生容量とは何でしょうか?
- みんなの回答 (2)
- 専門家の回答
みんなの回答
- Microstar
- ベストアンサー率21% (289/1367)
昔デジタル回路で食っていた者です。 寄生抵抗と寄生容量について回答します。 実際の回路はフラットで構成されているので、寄生として発生するコンデンサーと抵抗が、信号の波形が訛るため、タイミングのずれで発生してはいけない信号が発生して、動作が止まることがあるようです。 対策としては駆動力を考慮して、トランジスタのサイズを大きくしたり、配線の幅を広げたり、します。 また、実際に設計する前にトランジスタのサイズを変えて、波形をチェックできるシミュレーションすることがあります。(例:SPICEソフト改) こういう分野は企業秘密に関することが多く、企業へ行かないとわからないケースが多いので、教科書ではよくわからないのは当然です。 また、こういう最前線にいると、大学の講義内容はあくまでも基本に止まっているなと見えてしまうんですよ。
- 10423163
- ベストアンサー率45% (219/477)
教科書より半導体メーカーのWebに説明が載ってますよ。 寄生容量・・・ロームです。 http://www.rohm.co.jp/en/tr/tr_what5-j.html#1 寄生抵抗・・・東芝です。 http://www.toshiba.co.jp/about/press/2007_12/pr_j1301.htm まあ、ご質問のずばり回答とは行かないと思いますがご参考と言うことで、そのほか日立なども検索すれば何か出てくると思います。
関連するQ&A
- 半導体で微分容量を用いる理由
pnダイオードやMOSキャパシタの空乏層容量はC=dQ/dVというように微分容量を用いますが、なぜ通常の容量の定義(C=Q/V)ではなくて微分容量でないといけないのでしょうか。
- ベストアンサー
- 物理学
- pn接合容量Cが空乏層幅Wを用いるとC=半導体の誘導率/Wであることを
pn接合容量Cが空乏層幅Wを用いるとC=半導体の誘導率/Wであることを示せという問題があります。 とき方が解りません。どなたかアドバイスをお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- 埋め込み型フォトダイオードについて
フォトダイオードの構造は基本はpn接合です。別に暗電流を抑える意味で pnp型(あるいはnpn)の埋め込み型フォトダイオードがあります。 同時に、このpnp構造(あるいはnpn)では空乏層の厚さがpn構造と比べて厚くなるので 光感度も向上すると思います。しかし、埋め込み型の光感度はpn型より 低い特性があるらしいのです。特に長波長側の光で。 素人感覚では空乏層が厚いほど感度も高いように思います。なぜ 埋め込み型の光感度はpn型より低くなるのでしょうか?
- ベストアンサー
- 物理学
- 高域での電圧増幅度について教えてください。
高域での利得低下はトランジスタのpn接合の何が影響するのか? エミッタ、コレクタ間のpn接合によって生じるのは何か? 負荷抵抗RLに何が接続され、高い周波数になりリアクタンスは小さくなったのか? 教えてください。
- ベストアンサー
- その他(学問・教育)