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高域での電圧増幅度について教えてください。
高域での利得低下はトランジスタのｐｎ接合の何が影響するのか？ エミッタ、コレクタ間のｐｎ接合によって生じるのは何か？ 負荷抵抗RLに何が接続され、高い周波数になりリアクタンスは小さくなったのか？ 教えてください。
- yuna333
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エミッタ共通回路、トランジスタ増幅器に関する話ですね。エミッターベース間ではトランジスタが逆バイアスで利用されています。少数キャリアの注入によってコレクタ電流が流れますが、この電流はベース層を突き抜けてほとんどエミッタ層に流れ込みます。そうなるとコレクタとベースの間には電流がほとんど流れず接合容量が発生します。この容量はあまり大きくありませんが、高い周波数になるとインピーダンスが低下します。コレクターベース間はエミッタ共通回路型の増幅器では信号の出力端子と入力端子の関係にあるため、容量があるということは入出力に負帰還がかかったことになります。この負帰還の効果により高周波信号において利得が低下することになります。 ＞負荷抵抗RLに何が接続され、高い周波数になりリアクタンスは小さくなったのか？ この文面はどう解釈すればいいのかわかりませんが、ミラー効果のことを指すのだと解釈すれば、増幅回路の入力側から見た容量はコレクタ-ベース間の接合容量をCc トランジスタの相互コンダクタンスgmとすれば入力容量は （１＋gm RL)Cc だけ増加して見えることになります。
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