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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：SiCの抵抗率の温度依存性について）
SiCの抵抗率の温度依存性について調査した結果
このQ&Aのポイント
- SiCの抵抗率は温度によって変化することが分かりました。室温から200度、400度、800度と温度を昇温していくと、抵抗率も変化していくことが確認されました。
- 現在の調査範囲では、室温での抵抗率はおよそ10^-4Ωcm程度であり、温度が200度程度に上昇すると約5×10^-3Ωcm程度まで増加することが予測されます。
- 具体的な温度係数については、まだ正確な情報を得ることはできていないため、さらなる文献やサイトの調査が必要です。
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質問者が選んだベストアンサー
論文検索で以下を調べてみてください。 不純物ドーピングの論文ですが、nonedope-SiCの抵抗率温度依存は載っていました。 ちなみに論文検索サイトはscience direct、CiNiiなど使用しています。他にも論文はたくさんあると思いますので、ニーズに合う論文を検索してみてはいかがでしょうか。 論文タイトル ・Macrostructural influence on the thermoelectric properties of SiC ceramics . ・Thermoelectric Properties of Boron Compound-Doped α-SiC Ceramics.
お礼
非常に参考になる論文の紹介ありがとうございます。 早速読んでみます。