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メモリの矛盾

メモリのスループットが上がるにつれてCAS Latency(キャス・レイテンシ)は大きくなっていきます。 例:PC-2700 DDRメモリでCL2.5   PC2-5300 DDR2メモリでCL5 これは矛盾じゃないですか。 どちらかが高い性能だともう片方の性能が落ちます。

noname#99354
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  • KEN_2
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ANo.1 です。 M/BがDDR/DDRII両対応のASRock(アスロック"変態マザー")で測定されていると推定されます。 別のM/B同士であれば条件が異なってきますし、ベンチソフトの測定方法でも結果は異なってきます。 内容を整理してみました。 HDBENCH 3.30(01.03.03)/3.40 beta6 DDR400  CL3 → PC-3200 (FSB 400MHz)=231986 DDRII800 CL5 → PC2-6400 (FSB 800MHz)=173464 cpu:dual core E2200 は、 LGA775 (FSB 800MHz,L2 1MB,Dual Core) HDBENCHの説明 HLPE文より--------------- MEMORY MEMORYボタンは8MByteのMEMORYを1秒間で何回Read,&Write&ReadWrite出来たかを測定します。 4スレッドで動作しています. MEMORYはDWORD(4Byte)でRead、Writeしています。 ReadWriteはDWORDでReadしその数値を+1した後Writeしています。 --------------------------- *本ソフトの測定方法の違いで「ページモード・アクセス」(バースト転送)の関係が影響していると考えられます。 順次読み出しの方法ではバースト転送以外の「CL5」の影響が加算されます。 このソフトのメモリテスト方法ではオマケ的な扱いですので、このソフトの測定方法では正常な値と考えられます。 *CPUの速度がメモリの速度を上回っているので、このソフトの測定方法ではこの結果となったと考えてください。 色々なソフトがありますので、多角的に検討して判断してください。 SiSoftware Sandra Lite http://cowscorpion.com/system/SandraLite.html

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質問者からのお礼

非常にわかりやすかったです。 もうメモリで悩むのはやめにします。 KEN_2さん 回答ありがとうございました。

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  • KEN_2
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DDR/DDR2のクロックのエッジ動作で考えると矛盾していないのが分かります。 ベースになる動作周波数自身は向上していないので、元になるクロックは同じなのです。 ベースが166MHzであれば、DDRは333MHz、DDR2は666MHz相当で動作させているのです。 DDR;クロックの立ち上がり/立下りの両エッジで2回動作します。 DDR2;クロックの2倍(半分の周期)のクロックエッジで4回動作します。 PC-2700 DDR;166MHzx2x8bytes PC2-5300 DDR2;166MHzx4x8bytes  となります。 つまり、CLの2回分か4回分で動作するのでDDRの2.5に対してDDR2は5になり時間的には同じです。 *DRAMの内部動作周波数自体は、SDRAMの時代で限界に達して速度向上の方法として2倍クロック・4倍クロックで2回路・4回路を交互に動作させて外部からみた速度を向上させているのです。  昔インターリブ動作で2枚のメモリ基板を交互に読み取り2倍の速度を実現していました。 DDR/DDR2はメモリIC内で実現しているのです。

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質問者からの補足

KEN_2さん 回答ありがとうございます。 HDBENCHでメモリの計測を行った結果 CL値の影響が大きいREADの数値は   DDR400(512G+512G PQI製 CL3 )=231986   DDRII800(1024G+1024G CFD製 CL5 )=173464 cpu:dual core E2200 でした。 差がこんなにもでてしまいました。 他のパーツや相性が悪くてこんな数値なのでしょうか。 度々すみません。

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