- 締切済み
ウエハを使ったショットキーダイオードの実験で・・・
先日ショットキーダイオードの実験を行いました。 市販の半導体のウエハから切り取った小さな半導体を金属板の上におき、その半導体の上から金属の針で押さえ板と針から電圧をかけて特性を測定しました。 板、針の金属はそれぞれ3種類ほどあり、その組み合わせは全て測定しました。 簡単な装置ですがダイオード特性はちゃんと出てきました。 ですが、半導体をN型にして金属板側が表裏(ウエハの研磨してある面としていない面)と変えて測定したとき、まったく逆の特性が出てきました。 P型で同じ事をしても特性が逆になることはありませんでした。 なぜN型のウエハは表と裏で特性が逆になってしまうのでしょうか? 詳しい方教えてください! それと市販のダイオードの特性は0.6Vくらいから電流が流れ始めると思いますが、実験では2~4Vくらいから流れ始めました。誤差にしては大きすぎるので違う理由が考えられると思うのですが・・・。 誰か詳しい方教えてください! お願いします!
- bunny555
- お礼率0% (0/1)
- その他(学問・教育)
- 回答数1
- ありがとう数0
- みんなの回答 (1)
- 専門家の回答
みんなの回答
- saikoro
- ベストアンサー率57% (11/19)
詳しくはないのですが、回答がないようなので... 本当にショットキーをみているとしたら、 n基板の場合は、電極が板、針にかかわらず、研磨面でオーミックになっていた。 p基板の場合は、Si表面状態にかかわらず、板または針の電極どちらかでオーミックになったいた。 ということでしょうか。 しかし、 > 実験では2~4Vくらい より、表面の酸化膜の特性とか逆方向ブレークダウン等をみていた可能性が高いのではないでしょうか。 同一表面に同型電極(針または板)をたてオーミックか否かをを確認する、針/Si/板構造でCV特性をとりどちら側の容量がみえているか、等を実験すれば、何かわかるかもしれません。
関連するQ&A
- ショットキーダイオードの基礎特性について
ショットキーダイオード(Si,Au)のV-I特性と整流特性について質問します。 今回、実験で市販ダイオードとショットキーダイオードの特性の違いについて観察するのですが、これら2つのダイオードのV-I特性と整流特性はどの様に違うのか、下記の内容に沿ってご回答よろしくお願いします。 特に、V-Iグラフを描く時の違いについてお願いします。 ?抵抗と市販ダイオードの直列回路に発信器(200Hz,0~20V)を接続し、オシロスコープのCH1で抵抗側、CH2でダイオード側の波形観測をし、整流特性を観察するのですが、それぞれどの様な結果が得られるのでしょうか? ?次に、X-Yモードに切り替えた時、V-Iグラフはどの様になるのでしょうか? ?市販ダイオードをショットキーダイオードに代えて?,?の実験を行った場合に得られる結果もお願いします。
- 締切済み
- 電子部品・基板部品
- ショットキーダイオード 高電圧領域での,理論値と実験値のズレ
高電圧領域での,ショットキーダイオードの電流値のふるまいについて質問です。 実験値では高V領域にすると,ショットキー接続のI-V特性が理論曲線からずれてしまい,この理由はダイオード内の抵抗成分にあるそうですが・・・ 抵抗成分が dV/dt = R + kT/qI と書き表せるそうなんですけど,どうやったらこの式が導出できますか? また,この式が何を示しているのかイマイチ解りません。
- ベストアンサー
- 物理学
- シリコンウエハー中の金属の動き
半導体用シリコンウエハーの金属汚染に関しまして、アドバイスをお願い致します。 常温でCuが、シリコンウエハーの内部から表面に移動する事は、可能でしょうか? 裏面にゲッタリングを行う場合、半導体の加工工程で高温をかける事で 金属がゲッタリングされる事は、聞いた事が有るのですが、常温程度で 同じ事が起こるのでしょうか? 宜しくお願い致します。
- 締切済み
- 化学
- ダイオードの電圧特性について
実験でダイオードの特性の測定をする機会があったのですが、そのとき疑問に思ったことを質問させていただきます。順方向特性と逆方向特性においてそれぞれ測定する際に電流計が挿入される位置が異なりました。 順方向特性・・・|――| ▼ V |__| | mA | 逆方向特性・・・|――| ▼ | | V mA | | | |――| | といったような配置になっているのです。(わかりにくくてすみません・・・) ちなみに▼:ダイオード、mA:電流計、V:電圧計です。 これにはどういう意味があるのでしょうか? よろしくお願いします。
- ベストアンサー
- 物理学
- 電子(電気)回路に詳しい人お願いします!
現在、トランジスタのn型半導体とp型半導体の接合部分の電気的特性とダイオードの電気的特性を調べているんですが、インターネットで探してもよくわかりません。すいませんが、教えて下さい。またサイトのURLを貼ってくださるとうれしいです。
- ベストアンサー
- その他(生活・暮らし)
- シリコンウエハの物理的な物性評価項目を教えてくだ…
シリコンウエハの物理的な物性評価項目を教えてください 初心者で変な文章になったらすみません。 トランジスタ向けのシリコンウエハについて、物理的な特性(たとえば引張り強度など)はどうゆう項目が調べられているのでしょうか。 一覧がわかるようなサイトなどがあれば教えていただけますでしょうか。 また、こうゆう半導体関係の規格はそういったものが主流になるのでしょうか(たとえばJISとか)。 ざっくりとした質問ですみませんが、調べるヒントになるようなことでも結構ですので回答よろしくお願いします。
- 締切済み
- 電子部品・基板部品
- GP-IBインターフェースを用いた実験
こんにちはGP-IBを用いた計測に関する質問です。 PC98とマルチメータと直流電源を GP-IBでつなぎ、 ダイオードとマルチメータを直列に接続し、 マルチメータを電流モードにして電流を直接測定して ダイオードのI-V特性を測定する方法では ダイオードの正確なIーV特性が測定できないのですが、なぜ正確に測定できないのかよくわかりません。 マルチメータ内のダイオード”on”時の内部抵抗が関係しているようなのですが… どなたか教えてください。 お願いします。
- ベストアンサー
- その他(学問・教育)
- 高校生なのですが、この度ダイオードの温度特性の実験をしました。そこで課
高校生なのですが、この度ダイオードの温度特性の実験をしました。そこで課題が何個かでて、といていったのですが、この2つがわからないのでどなたか、優しく解答お願いします。 (1)Siツェナーダイオードの測定結果から、ツェナー電圧Vzを求めなさい。また、このダイオードの応用を簡単でよいから求めよ。 ↑これは、Vzの求めかたと、この応用がわかりません。 (2)α=1と論理的にはなるが、Ge及びSiダイオードの順方向I‐V特性を片対数グラフにまとめ、グラフより係数αをもとめよ ↑これは、まず係数αがなんなのかと、求め方がわかりません お願いします。 I=Is(exp・eV/αkT -1)のときのαです。 ちなみに、k=ボルツマン定数、e=単位電荷量、Is=逆方向飽和電流です。
- 締切済み
- 物理学
- 圧電素子の実験 ダイオードについて
圧電素子を使って実験しており,特性をとりたいと考えております. しかし,実験で用いている圧電素子は発電量が小さく,交流出力です. なので並列(もしくは直列で接続)に接続した圧電素子の出力を,直流に整流してから測定してみようと思うのですが,振動器で振動させると,出力電圧が○mVー電流は○μAと,とても小さく,ダイオードの特性上,整流するのに電圧が足りないのではないかと思っております. この小さな電力でも特性を発揮するダイオードはないでしょうか? 他に昇圧チョッパを組み込み電圧を上げる事を考えたのですが・・・ よろしくお願いいたします.
- ベストアンサー
- 物理学
- MIS構造のC-V測定について
半導体初心者ですが宜しくお願いします。 どの半導体デバイスの教科書にも必ずMIS(MOS)キャパシタのC-V特性が載っています。書いてあることはなんとなくわかるのですが、結局何のためにC-V測定をするのでしょうか。
- 締切済み
- 物理学