110nmCMOSプロセスのSalicideとは？
- 110nmCMOSプロセスのSalicideについて質問です。
- Gate電極をSalicideにすると電流にどのくらいの違いが生じるのか知りたいです。
- 他にSalicideの利点やSalicideとSilicideの違いについて教えてください。
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110nmCMOSプロセスのSalicide
110nm(程度の)CMOSプロセスのSalicideについて質問です。 Gate電極をSalicideにした場合としない場合について、 電流はどのくらい異なるでしょうか？ (計算式があれば、値と共に教えて頂けると嬉しいです) また、他に利点はありますでしょうか？ 最後に「Salicide」と「Silicide」は違うものでしょうか？ よろしくお願いします。
- peach747
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- TIGANS
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MOSTrの電流特性は大まかにゲート膜圧とゲート順位と不純物プロファイル形状で決まるのでゲートをシリサイデーションするかはMOSの直流特性には関係ありません。 ただしゲートのシリサイデーションを行うことでゲートの抵抗が大きく下がるためゲート容量の充放電時定数を下げる事ができ過渡特性の高速化に寄与します。
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