- ベストアンサー
電子素子工学についての質問なんですが、、、
Siでできているサイリスタからゲートの電極を除いた場合、 画像にあるようなグラフ、グラフになると授業のプリントの参考として書いてあったのですが、 なぜグラフのように電圧が一度下がってしまっているのに電流を流し続けているのか分かりませんでした。 なにか定性的になにかあるのでしょうか? 調べていてもどうしても分からなかったので教えてください<m(__)m>
- tellmeZetton
- お礼率0% (0/3)
- その他(学問・教育)
- 回答数1
- ありがとう数0
- みんなの回答 (1)
- 専門家の回答
質問者が選んだベストアンサー
サイリスタは、ゲートをONすることでアノードとカソード間が通電する素子です。 このゲートをONするには、ある一定電圧以上にならないとゲートをONできません。 よって、グラフに示すように、電圧が高くなりゲートがONしたことで、アノードとカソード間が通電したことで、電圧が下がり電流が流れたことになります。 余談ですが、サイリスタは一定時間以上電流をゼロにしなければ接続を切ることはできません。 ゲートではONできてもOFFはできません。悪しからず。
関連するQ&A
- サイリスタ(逆素子三端子サイリスタ)はONになると何故電流が流れ続けるのですか?
タイトルの通りです。 サイリスタに順方向電圧を加えた状態でゲート電流を流すと電流が流れるということは分かったのですが、それがなぜ電流が流れ続けるかが分からないです。 できるだけ簡単な説明でしていただけると助かります。
- ベストアンサー
- 科学
- 電子回路・工作についての質問です
電子回路・工作の初心者でど素人です。 至らぬ点が多々見受けられると思いますがお願いします。 本題なのですが画像の上にある回路図を画像の下部分のようにPCBEで作りました。 過電流保護回路の一部です。 http://www.shinetworks.net/cgi-bin/img-k/index.html 見にくいため別で画像をupしました不慣れなもので申し訳ありません。 画像タイトル:1391516622321.jpg-(135247 B) と書いてある回路図です。 上の回路図にして欲しい動作としては、V IN から電圧を調整し、 過電流が流れた時はコンパレータから5Vを出力し、 サイリスタのゲートに入力が入り、サイリスタが動作してLEDを点灯させ、トランジスタを使用して作った NOT回路を通過しV out から5Vを出力します。 V INから過電流が流れていない時は、コンパレータから0Vを出力し、サイリスタのゲートに入力が 入らないので、LEDが消灯したままでV out から0Vが出力されます。 上の回路をブレッドボード上で組んだ時には正しい動作をしたのですが、 ユニバーサル基盤で組んだ際にLEDが常に点灯し、5Vが出力されたままでした。 オシロスコープでコンパレータ部分の出力電圧を確認したところ0Vが出力される場合の時の電圧が 0.5~1Vくらい出力されていたので、それによりサイリスタのゲートがONになりLEDが点灯 しているのかなと自分では解釈しています。 しかしこのようなことが起きる原因が良く分かりません・・・ 回路の配線は下図の回路通り配線しました。 配線ミス等があったらご指摘お願いします。 半田不良、カラーコードの付け間違い等のミスについては一通り確認しました。 分かりにくい説明や図が小さく見にくいなどがあると思いますがどうかご意見をよろしくお願いいたします。
- ベストアンサー
- 電気・電子工学
- パワー半導体(IGBT・SiC素子)について
パワー半導体についてご質問させて頂きます。3つ程ありますがひとつでも結構ですのでお詳しい方がいらっしゃいましたら是非ご教示願います。的外れな質問なのかも知れませんが宜しくお願いします。 (1)GTOサイリスタやIGBTについてですが例えばトランジスタのように信号増幅な使い方はしないのでしょうか。基本的にターンオンとオフしかできないものなのでしょうか。 (2)IGBTは電圧駆動ということですが、ターンオフさせるためには電流型がマイナス電流を流さなければならないようにマイナスの電圧を印加させる必要があるのでしょうか。 (3)SiC素子についてですがSiの限界により特性に優れたSiCを使ったダイオードなどがあるようですが、SiCを使ったIGBTというものがあるのでしょうか?色々文献を調べてもサイリスタ→GTO→IGBT→SiCという横並びの進化ではないような気がしますがわかりやすい資料をみたことがないため自分では混乱しております。 なかなか半導体技術は専門的でわかないことが多くあります。どうぞ分かり易くご教示願います。宜しくお願いします。
- ベストアンサー
- 電気・電子工学
- 電気化学に関する質問
電気化学に関していくつか質問させて下さい。 サイクリックボルタンメトリーは溶液によって、波形が違うらしいのですが、この波形の違いというのは定性的、定量的に説明することは出来るのでしょうか?波形は違っても、酸化還元ピークは電位は同じだと考えて良いのでしょうか? サイクリックボルタンメトリーでは直流電流を使用しますが、交流をかけることで電気化学特性を調べるような測定手法はないのでしょうか? 通常の測定での、3電極系では参照電極には電流が流れると電極の状態が変わってしまうため、電位も変わってしまうため、疑似電極と呼ばれるものを使用しますが、市販の乾電池は2電極が使われています。つまり基準にになる電極にも電流が流れているにも拘わらず、電圧が変わらないのはなぜなのでしょうか?それとも気づかないほどの微少な変化なのでしょうか? よろしくお願い致します。
- ベストアンサー
- 化学
- サイリスタ-順方向電圧降下特性
サイリスタに電流を流した後ゲートを切る。徐々に電圧を下げていくと0.9Vあたりで3mAになり0.8Vでは 0mAになりました。 どうして0Vで0mAでないのでしょうか?なぜ0.8V で0mAなのか?教えてください。
- ベストアンサー
- 科学
- トランジスタに関していくつか質問させて下さい
1. 普通のトランジスタでは、エミッタ、ベース、コレクタと呼ぶのに対してFETではドレイン、ソース、ゲートという呼び方をします。機能は同じなのになぜあえて違う言い方をするのでしょうか? 2. FETではゲートの他にバックゲートというものを使う場合もありますが、これを使うメリットは何なのでしょうか?バックゲートの使い分けについて教えて下さい。 3. 上記に似たものとしてデュアルゲートFETというものもありますが、これのメリットは単に流せる電流量が2倍なだけなのでしょうか?ドーピングの量を増やすとかならまだしも単にゲートに電極を2つつけただけで流せる電流量が増えるのは納得がいきません。どういうことなのでしょうか? よろしくお願いいたします。
- ベストアンサー
- 科学
- サイリスタの制御角(通電角)
サイリスタの損失計算をする時にデータシート状の電流vs損失のグラフから求めています。 このグラフはDCや各制御角度で損失が違います. 例えば,三相整流器で使う場合は「120°」を用いると聞きました。 これは三相ブリッジ結線をした場合に, あるサイリスタは180°中の120°しか電流が流れないから?なのかと思っています. 三相負荷で各相にサイリスタを逆接続(逆並列)にした場合は どのように考えれば良いでしょうか。 単相×3線 とみなして180°と考えるのか. 三相とみなして120°と考えるのか. 理解が追い付かず悩んでおります.
- 締切済み
- 電子部品・基板部品